Методы расчета ионно-имплантированных структур. Быкадорова Г.В - 25 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

25
ЛИТЕРАТУРА
1. Березин Б.И., Мочалкина О.П. Технология и конструирование интегральных
микросхем . – М .: Радио и связь, 1992. – 319 с.
2. Бронштейн И.Н., Семендяев К .А. Справочник по математике. – М .: Наука,
1986. – 320 с.
3. Буренков А.Ф ., Крупнов Ю .Т., Курьязов В .Д. Аналитическая модель для
построения глубинных профилей внедрения примеси при ионной имплантации.
– Микроэлектроника. – 1992. – Т.21, вып.2. – С. 94 – 97.
4. Курносов А.И., Юдин Б.Б. Технология производства полупроводниковых
приборов и интегральных схем . – М .: Высшая школа, 1986. – 388 с.
5. Матсон Э.А. Конструирование и расчет микросхем и элементов ЭВА. – Минск :
Вышейшая школа, 1979. – 192 с.
6. Пичугин И.Г., Таиров Ю .Н. Технология полупроводниковых приборов. – М .:
Высшая школа, 1984. – 288 с.
7. Плис А.И., Сливина Н.А. Лабораторный практикум по высшей математике, –
М .: Высшая школа, 1994. – 416 с.
8. Риссел У ., Руге И . Ионная имплантация. – М .: Наука, 1983. – 322 с.
9. Таблицы параметров пространственного распределения ионно -
имплантированных примесей . /Буренков А.Ф . и др. – Минск : Изд-во БГУ ,
1980. – 288 с.
10. Технология СБИС. В 2 - х кн. / Под ред. Зи С. – М .: Мир, 1986. – Т. 1. – 404 с.;
Т. 2. – 433 с.
11. Асессоров В .В . Математическое моделирование распределений ионно-
имплантированных примесей . – Воронеж: ВГУ , 2002. – 100 с.
Составили: Быкадорова Галина Владимировна
Гольдфарб Владимир Абрамович
Дикарев Владимир Иванович
Левин Александр Юрьевич
Асессоров Валерий Викторович
Редактор: Бунина Т.Д. 
                                           25




                                  ЛИТЕРАТУРА

1.  Березин Б.И., Мочалкина О.П. Технология и конструирование интегральных
    микросхем. – М.: Радио и связь, 1992. – 319 с.
2. Бронштейн И.Н., Семендяев К.А. Справочник по математике. – М.: Наука,
    1986. – 320 с.
3. Буренков А.Ф., Крупнов Ю.Т., Курьязов В.Д. Аналитическая модель для
    построения глубинных профилей внедрения примеси при ионной имплантации.
    – Микроэлектроника. – 1992. – Т.21, вып.2. – С. 94 – 97.
4. Курносов А.И., Юдин Б.Б. Технология производства полупроводниковых
    приборов и интегральных схем. – М.: Высшая школа, 1986. – 388 с.
5. Матсон Э.А. Конструирование и расчет микросхем и элементов ЭВА. – Минск:
    Вышейшая школа, 1979. – 192 с.
6. Пичугин И.Г., Таиров Ю.Н. Технология полупроводниковых приборов. – М.:
    Высшая школа, 1984. – 288 с.
7. Плис А.И., Сливина Н.А. Лабораторный практикум по высшей математике, –
    М.: Высшая школа, 1994. – 416 с.
8. Риссел У., Руге И. Ионная имплантация. – М.: Наука, 1983. – 322 с.
9. Таблицы        параметров пространственного распределения             ионно -
    имплантированных примесей. /Буренков А.Ф. и др. – Минск: Изд-во БГУ,
    1980. – 288 с.
10. Технология СБИС. В 2 - х кн. / Под ред. Зи С. – М.: Мир, 1986. – Т. 1. – 404 с.;
    Т. 2. – 433 с.
11. Асессоров В.В. Математическое моделирование распределений ионно-
    имплантированных примесей. – Воронеж: ВГУ, 2002. – 100 с.



Составили: Быкадорова Галина Владимировна
         Гольдфарб Владимир Абрамович
         Дикарев Владимир Иванович
         Левин Александр Юрьевич
         Асессоров Валерий Викторович

Редактор: Бунина Т.Д.

Страницы