Методы расчета ионно-имплантированных структур. Быкадорова Г.В - 23 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

23
На основании полученных результатов ниже построен график зависимости
параметра G от дозы имплантации.
0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
0
0,5
0,1
0,15
0,2
0,25
0,3
0,35
0,4
0,45
0,5
G
2. Рассчитать зависимость параметра G
от дозы имплантации в диапазоне
0÷1 мкКл/см
2
при внедрении бора с энергией 90 кэВ в кремниевую подложку
p-типа с удельным сопротивлением 4 Ом⋅см через слой окисла толщиной
0.1 мкм . Построить график зависимости G(D).
3. Провести численные эксперименты по исследованию влияния на параметр G
технологических режимов и параметров МОП тест - структуры при
внедрении в нее ионов бора, рассчитав и построив:
а) зависимость количества ионов бора, проникших в кремний, от энергии
ионов в диапазоне 30÷150 кэВ при дозе имплантации 1 мкКл/см
2
и
толщине окисла 0.09 мкм ;
б) зависимость количества ионов бора, проникших в кремний, от дозы
имплантации в диапазоне 0.01÷1 мкКл/см
2
при энергии 90 кэВ и толщине
окисла 0.09 мкм
4. Для кремниевой МОП тест структуры с подложкой n-типа с исходной
концентрацией и толщиной окисла 0.3 мкм при имплантации ионами
мышьяка рассчитать и построить график зависимости G :
а) от дозы в диапазоне 0 ÷1 мкКл/см
2
при энергии 120 кэВ ;
б) от энергии в диапазоне 30 ÷ 150 кэВ при дозе 0.5 мкКл/см
2
;
Распределение мышьяка считать гауссовским (неусеченная гауссиана ).
5. МОП тест - структура с окислом толщиной 0.075 мкм и кремниевой
подложкой p-типа с удельным сопротивлением 6 Ом⋅см имплантируется
ионами бора с энергией 70 кэВ . 
                                                23



  На основании полученных результатов ниже построен график зависимости
параметра G от дозы имплантации.



            0,9
            0,8
            0,7
            0,6
        G




            0,5
            0,4
            0,3
            0,2
            0,1
             0
                                  0,15




                                               0,25




                                                            0,35




                                                                         0,45
                      0,5



                            0,1




                                         0,2




                                                      0,3




                                                                   0,4




                                                                                0,5
                  0




  2. Рассчитать зависимость параметра G от дозы имплантации в диапазоне
     0÷1 мкКл/см2 при внедрении бора с энергией 90 кэВ в кремниевую подложку
     p-типа с удельным сопротивлением 4 Ом⋅см через слой окисла толщиной
     0.1 мкм. Построить график зависимости G(D).
  3. Провести численные эксперименты по исследованию влияния на параметр G
     технологических режимов и параметров            МОП тест-структуры при
     внедрении в нее ионов бора, рассчитав и построив:
      а) зависимость количества ионов бора, проникших в кремний, от энергии
        ионов в диапазоне 30÷150 кэВ при дозе имплантации 1 мкКл/см2 и
        толщине окисла 0.09 мкм;
      б) зависимость количества ионов бора, проникших в кремний, от дозы
        имплантации в диапазоне 0.01÷1 мкКл/см2 при энергии 90 кэВ и толщине
        окисла 0.09 мкм
4. Для кремниевой МОП тест структуры с подложкой n-типа с исходной
   концентрацией            и толщиной окисла 0.3 мкм при имплантации ионами
   мышьяка рассчитать и построить график зависимости G :
   а) от дозы в диапазоне 0 ÷1 мкКл/см2 при энергии 120 кэВ;
   б) от энергии в диапазоне 30 ÷150 кэВ при дозе 0.5 мкКл/см2;
   Распределение мышьяка считать гауссовским (неусеченная гауссиана ).
5. МОП тест-структура с окислом толщиной 0.075 мкм и кремниевой
   подложкой      p-типа с удельным сопротивлением 6 Ом⋅см имплантируется
   ионами бора с энергией 70 кэВ.

Страницы