Методы расчета ионно-имплантированных структур. Быкадорова Г.В - 24 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

24
Рассчитать дозу имплантации, при которой параметр G равен 0.4.
6. Рассчитать и построить зависимость параметра G от дозы имплантации
бора в кремний марки КДБ12.5 через окисел толщиной 0.076 мкм при энергиях
30, 50 и 70 кэВ в диапазоне доз 0 ÷ 0.6 мкКл/см
2
.
7. Исследовать зависимость параметра G от дозы имплантации фосфора в
кремний марки КЭФ 7.5 через окисел толщиной 0.076 мкм для энергий 60, 80 и
100 кэВ в диапазоне доз 0 ÷0.6 мкКл/см
2
.
8. Исследовать зависимость параметра G от дозы имплантации фосфора с
энергией 100 кэВ через окисел толщиной 0.07 мкм в кремний с удельным
сопротивлением 0.1, 1, 4, 4.5, 7 и 20 Ом·см в диапазоне доз 0 ÷0.5 мкКл/см
2
.
9. Рассчитать и построить зависимость параметра G от дозы при имплантации
фосфора с энергией 100 кэВ в кремний марки КЭФ 7.5 через окисел различной
толщины: 0.04, 0.07, 0.09 и 0.12 мкм . Иссле
дуемый диапазон доз
0÷0.6 мкКл/см
2
.
Вопросы
1. Что такое доза имплантации?
2. Нарисуйте идеальную высокочастотную C-V характеристику с
полупроводником p-типа (n-типа ).
3. Как изменится идеальная C-V характеристика МОП структуры с подложкой p-
типа (n-типа) при наличии положительного (отрицательного ) заряда в окисле?
4. Как изменится идеальная C-V характеристика МОП структуры с подложкой
p-типа (n-типа) при наличии положительной (отрицательной ) разности работ
выхода?
5. Почему исходные ионно-имплантированные профили в каждой среде
аппроксимируются неусеченной гауссианой при построении в двухслойной
структуре результирующего распределения по методу составных профилей ?
6. В чем физическая причина возникновения скачка концентрации на границе
раздела двух сред при ионной имплантации многослойных структур? Какой
знак может иметь этот скачок ?
7. Почему при определении параметра G не учитывается заряд в окисле и
разность работ выхода металл-полупроводник в тестовой МОП структуре? 
                                           24

       Рассчитать дозу имплантации, при которой параметр G равен 0.4.
6.    Рассчитать и построить зависимость параметра G от дозы имплантации
     бора в кремний марки КДБ12.5 через окисел толщиной 0.076 мкм при энергиях
     30, 50 и 70 кэВ в диапазоне доз 0 ÷0.6 мкКл/см2.
7.    Исследовать зависимость параметра G от дозы имплантации фосфора в
     кремний марки КЭФ7.5 через окисел толщиной 0.076 мкм для энергий 60, 80 и
     100 кэВ в диапазоне доз 0 ÷0.6 мкКл/см2.
8.    Исследовать зависимость параметра G от дозы имплантации фосфора с
     энергией 100 кэВ через окисел толщиной 0.07 мкм в кремний с удельным
     сопротивлением 0.1, 1, 4, 4.5, 7 и 20 Ом·см в диапазоне доз 0 ÷0.5 мкКл/см2.
9.   Рассчитать и построить зависимость параметра G от дозы при имплантации
     фосфора с энергией 100 кэВ в кремний марки КЭФ7.5 через окисел различной
     толщины: 0.04, 0.07, 0.09 и 0.12 мкм. Исследуемый диапазон доз
     0÷0.6 мкКл/см2.

                                     Вопросы

1. Что такое доза имплантации?
2. Нарисуйте     идеальную    высокочастотную        C-V     характеристику    с
     полупроводником p-типа (n-типа ).
3.   Как изменится идеальная C-V характеристика МОП структуры с подложкой p-
     типа (n-типа) при наличии положительного (отрицательного) заряда в окисле?
4.   Как изменится идеальная C-V характеристика МОП структуры с подложкой
     p-типа (n-типа) при наличии положительной (отрицательной) разности работ
     выхода?
5.   Почему исходные ионно-имплантированные профили в каждой среде
     аппроксимируются неусеченной гауссианой при построении в двухслойной
     структуре результирующего распределения по методу составных профилей?
6.   В чем физическая причина возникновения скачка концентрации на границе
     раздела двух сред при ионной имплантации многослойных структур? Какой
     знак может иметь этот скачок?
7.   Почему при определении параметра G не учитывается заряд в окисле и
     разность работ выхода металл-полупроводник в тестовой МОП структуре?

Страницы