Методы расчета ионно-имплантированных структур. Быкадорова Г.В - 10 стр.

                                                10
                        0.49           7.67E+16                16.885
                        0.53           3.89E+15                15.590
                        0.58          -7.39E+15                15.869
                        0.62          -8.54E+15                15.931
                        0.66          -8.62E+15                15.935
                        0.71          -8.62E+15                15.936
                        0.75          -8.62E+15                15.936
                        0.80          -8.62E+15                15.936
                        0.84          -8.62E+15                15.936
                        0.88          -8.62E+15                15.936

     Глубины p-n переходов: эмиттерного xjэ=0.25 мкм
                         коллекторного xjк=0.54 мкм

      По результатам расчетов можно построить график распределения примесей
в полученной транзисторной структуре.

                       21



                       19

               ln|N|
                       17



                       15
                            0   0,2       0,4            0,6       0,8
                                                x, мкм


2. Транзисторная структура n-p-n типа в кремниевой подложке с исходной
   концентрацией 5⋅1014 см-3 создается двойной последовательной имплантацией
   ионов бора и фосфора.
       В первом приближении без учета перераспределения примесей в процессе
    активационных отжигов определить:
   а) суммарный концентрационный профиль, если базовая область
      формировалась внедрением бора с энергией 120 кэВ и дозой 8 мкКл/см2, а
      эмиттерная – имплантацией фосфора с энергией 200 кэВ и дозой
      150 мкКл/см2;
   б) зависимость глубины залегания коллекторного p-n перехода от дозы
      имплантации бора в диапазоне 5÷100 мкКл/см2 при энергии 120 кэВ;
   в) зависимость глубины залегания коллекторного p-n перехода от энергии
      имплантации бора в диапазоне 100÷150 кэВ при дозе 10 мкКл/см2;