Методы расчета ионно-имплантированных структур. Быкадорова Г.В - 9 стр.

UptoLike

9
writeln( -------------------------------------------------------------------);
for i:=0 to 20 do
writeln( | ,x[i]*1e4:2:2, | ,N[i]:9, |
,ln(abs(N[i]))/ln(10):2:3, |);
write( <BK>);
readln;
writeln( Глубины p-n переходов: эмиттерного Xjэ=,xje*1e4:2:2, мкм’);
writeln( коллекторного Xjк=,xjk*1e4:2:2, мкм ');
end; writeln;
writeln( Следующая структура (N) );
write( или выход из программы (E) ? );
readln(ans1);
end else begin writeln( !!! НЕ ВЫПОЛНЯЮТСЯ УСЛОВИЯ’);
if Rpb<Rpe then writeln( Rpb<Rpe, а должно быть Rpb>Rpe );
if Qb>Qe then writeln( Qb>Qe, а должно быть Qb<Qe );
writeln( Новая структура (N) );
write( или выход из программы (E) ? ); readln(ans1);
end;
until ans1=E;
1: end.
Результаты расчета по условиям данной задачи представляются в следующем
виде:
РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ПРИМЕСИ
ПРИ ДВОЙНОЙ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЙ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ
Образовалась N-P-N структура
TАБЛИЦА: Распределение примеси по структуре
x, мкм
N, cм
-3
Log|N|
0.00 -2.80E+18 18.448
0.04 -2.35E+19 19.371
0.09 -7.89E+19 19.897
0.13 -1.06E+20 20.026
0.18 -5.65E+19 19.752
0.22 -1.04E+19 19.015
0.27 2.17E+18 18.336
0.31 3.43E+18 18.535
0.35 2.49E+18 18.395
0.40 1.20E+18 18.078
0.44 3.82E+17 17.582
                                                 9
      writeln(‘ -------------------------       ------------------------------------------‘);
      for i:=0 to 20 do
          writeln(‘ |               ‘,x[i]*1e4:2:2,’          |            ‘,N[i]:9,’         |
‘,ln(abs(N[i]))/ln(10):2:3,’ |’);
        write(‘ ’);
        readln;
writeln(‘         Глубины p-n переходов: эмиттерного Xjэ=’,xje*1e4:2:2,’ мкм’);
 writeln(‘                                  коллекторного Xjк=’,xjk*1e4:2:2,’ мкм');
end; writeln;
     writeln(‘ Следующая структура (N) ‘);
     write(‘               или выход из программы (E) ? ‘);
           readln(ans1);
     end else begin writeln(‘          !!! НЕ ВЫПОЛНЯЮТСЯ УСЛОВИЯ’);
  if RpbRpe ‘);
  if Qb>Qe then writeln(‘             Qb>Qe, а должно быть Qb