Методы расчета ионно-имплантированных структур. Быкадорова Г.В - 14 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

14
N(x)
N
max
0
x
j
x
N
исх
перехода можно определить энергию внедряемых ионов. Для этой цели может
быть предложен следующий алгоритм поиска. Представим выражение для
определения глубины залегания p-n перехода в виде системы уравнений
()
∆+=ϕ=
=
.NNln2)E(R)E(R)E(x
;xx
исхmaxpp
j
Решение полученной системы можно представить графически (рис.3).
Для нахождения энергии Е
j
, при которой х
j
=ϕ(Е
j
), можно применить
следующий итерационный процесс. Сначала из физических соображений
задаются границы интервала энергий Е
1
и Е
2
. Затем для энергии
E
в середине
интервала [E
1
, E
2
]
2
21
EE
E
+
=
вычисляется значение функции ϕ(
E
) с использованием аппроксимирующих
формул для R
p
(E) и ∆R
p
(E).
Рис.2. Распределение ионно-имплантированной примеси 
                                                  14

перехода можно определить энергию внедряемых ионов. Для этой цели может
быть предложен следующий алгоритм поиска. Представим выражение для
определения глубины залегания p-n перехода в виде системы уравнений

                   �x = x j ;
                   �
                   �
                   �x = ϕ( E ) = R p ( E ) +∆R p ( E ) 2 ln (N max N исх ) .
                   �


Решение полученной системы можно представить графически (рис.3).
     Для нахождения энергии Еj, при которой хj=ϕ(Еj), можно применить
следующий итерационный процесс. Сначала из физических соображений
задаются границы интервала энергий Е1 и Е2. Затем для энергии E в середине
интервала    [E1, E2]
                                             E1 +E 2
                                        E=
                                                2

вычисляется значение функции ϕ( E ) с использованием аппроксимирующих
формул для Rp(E) и ∆Rp(E).




          N(x)


          Nmax




                                                           Nисх



             0                xj                                  х

           Рис.2. Распределение ионно-имплантированной примеси

Страницы