Методы расчета ионно-имплантированных структур. Быкадорова Г.В - 15 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

15
x
x
j
0 E
1
E
j
E
E
2
E
Рис.3. Графическое представление решения системы
для определения энергии ионов
Если
εϕ ≤− )( Ex
j
, где
ε
- погрешность определения х
j
, то искомая энергия
.EE
j
= Если
εϕ >− )( Ex
j
, тогда при )( Ex
j
ϕ < за правую границу интервала энергий
берется значение
E
, то есть
EE
2
=
, а при
)( Ex
j
ϕ >
изменяется левая граница:
EE
1
=
, и далее для нового интервала энергий находится середина
E
и процесс
продолжается до тех пор, пока не выполнится условие
εϕ ≤− )( Ex
j
.
По найденному значению энергии Е
j
определяется Δ R
p
(E
j
) и вычисляется
доза имплантации:
.)E(RN2Q
jpmax
∆π=
Задания
1. Рассчитать энергию ионов Е и дозу имплантации Q, необходимых для
получения ионно-имплантированного профиля с максимальной концентрацией
10
17
см
– 3
и глубиной залегания p-n перехода 0.3 мкм при внедрении ионов бора
в подложку кремния КЭФ 7.5.
Решение
Исходная концентрация в подложке кремния марки КЭФ 7.5 оценивается по
удельному сопротивлению ρ=7.5 Ом⋅
см и подвижности электронов
µ
n
=1400 см
2
/(В ⋅с):
.106
14005,7106,1
11
314
19
−
−
⋅=
⋅⋅⋅
== см
e
N
n
исх
ρµ
Для нахождения параметров пробегов R
p
и Δ R
p
ионов бора в кремнии при 
                                                       15

                x




                xj




                     0    E1               Ej     E         E2     E



               Рис.3. Графическое представление решения системы
                         для определения энергии ионов

     Если x j −ϕ(E ) ≤ε , где ε - погрешность определения хj, то искомая энергия
Ej   =E . Если x j −ϕ (E ) >ε , тогда при x j <ϕ (E ) за правую границу интервала энергий
берется значение E , то есть E 2 =E , а при x j >ϕ(E ) изменяется левая граница:
E1 =E , и далее для нового интервала энергий находится середина E и процесс
продолжается до тех пор, пока не выполнится условие x j −ϕ (E ) ≤ε .
       По найденному значению энергии Еj определяется ΔRp(Ej) и вычисляется
доза имплантации:
                                       Q = 2πN max ∆R p (E j ) .

                                                Задания

1. Рассчитать энергию ионов Е и дозу имплантации Q, необходимых для
   получения ионно-имплантированного профиля с максимальной концентрацией
   1017 см–3 и глубиной залегания p-n перехода 0.3 мкм при внедрении ионов бора
   в подложку кремния КЭФ7.5.

                                                Решение

        Исходная концентрация в подложке кремния марки КЭФ7.5 оценивается по
     удельному сопротивлению ρ=7.5 Ом⋅см и подвижности электронов
     µn =1400 см2/(В⋅с):

                                        1             1
                            N исх =       =                        =6 ⋅1014 см −3 .
                                      eρµn 1,6 ⋅10 −19 ⋅ 7,5 ⋅1400


        Для нахождения параметров пробегов Rp и ΔRp ионов бора в кремнии при

Страницы