Методы расчета ионно-имплантированных структур. Быкадорова Г.В - 17 стр.

                                        17
2. Кремниевая пластина p-типа с               исходной           концентрацией
   5·10 см имплантируется фосфором. Максимальная концентрация примесного
        15  -3

   слоя должна составить величину 1018 см-3, а глубина залегания p-n перехода
   0.25 мкм может иметь допуск ±40%.
   Определить интервал энергий и соответствующих ему доз, при которых могут
    быть реализованы заданные параметры формируемой структуры.
3. Можно ли на ускорителе с максимальной энергией до 100 кэВ создать в
   германиевой подложке p-типа с исходной концентрацией 1015 см-3 примесный
   слой мышьяка с максимальной концентрацией 5·1017 см-3 и глубиной залегания
   p-n перехода 0.4 мкм?
4. Предложите режимы ионной имплантации для получения в подложке из
   арсенида галлия p-типа с исходной концентрацией 5·1012 см-3 примесного слоя
   n-типа с максимальной концентрацией 1017 см-3 и глубиной залегания p-n
   перехода 0.15 мкм, создаваемого внедрением селена.
5. Предложите технологические режимы создания ионно-имплантированного
   слоя:
    а) толщиной 0.25 мкм с максимальной концентрацией 1018 см-3 внедрением
      мышьяка в кремниевую подложку марки КДБ5;
    б) с максимальной концентрацией 5·1018 см-3 и глубиной залегания p-n
      перехода 0.3 мкм внедрением бора в кремний n-типа с удельной
      электропроводностью 0.5 Ом-1см-1;
    в) с концентрацией в точке максимума 3·1018 см-3 и глубиной залегания p-n
      перехода 0.2 мкм при внедрении в кремний марки КДБ4 ионов мышьяка;
    г) толщиной 0.25 мкм с концентрацией в точке максимума 2·1019 см-3
      внедрением в кремний p-типа с удельным сопротивлением 4.5 Ом·см ионов
      сурьмы;
    д) с максимальной концентрацией 7·1019 см-3 и глубиной залегания p-n
      перехода 0.1 мкм при внедрении ионов фосфора в германий p-типа с
      удельной электропроводностью 1 Ом-1см-1;
    е) с глубиной залегания 0.15 мкм и концентрацией в точке максимума
      8·1018 см-3 в подложке арсенида галлия n-типа с исходной концентрацией
      1012 см-3 при внедрении ионов бора.

     3. Определение отношения минимальной к максимальной емкости
           МОП структуры с ионно-имплантированным каналом

     В качестве параметра C-V характеристики МОП структуры типа SiO2-Si с
ионно-имплантированным каналом (рис.4), оценивающего уровень (дозу)
имплантации, может быть использовано отношение минимальной емкости Cmix
равновесной высокочастотной C-V характеристики к ее максимальному значению
Cmax (рис.5).
     В общем случае распределение примеси при ионной имплантации через слой
окисла является неравномерным и представлено на рис.6. Модель для расчета
параметра G = Cmin/Cmax МОП структуры с нелинейным распределением примеси