Методы расчета ионно-имплантированных структур. Быкадорова Г.В - 19 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

19
Si - подложка
Легированный слой
Рис.4. МОП структура типа
SiO
2
-Si с ионно-имплантированным каналом
C
min
Cmax=Cox
C
U
Рис.5. Равновесная высокочастотная C-V характеристика МОП структуры
SiO2
Nx
2
()
N
исх
Nx
1
()
Si
0
dd+W
N(x)
Q
w
NA
Рис.6. Распределение ионно–имплантированной примеси
в двухслойной структуре
SiO
2
-Si
SiO
2
металл 
                                                19

          SiO2                                 металл



                        Легированный слой




                            Si - подложка



Рис.4. МОП структура типа SiO 2 -Si с ионно-имплантированным каналом

                                    C
                                    Cmax=Cox




                             Cmin

                                                              U
Рис.5. Равновесная высокочастотная C-V характеристика МОП структуры

 N(x)

                                                  Si
                 SiO2
 NA

            N1(x)
                             Q              N2 ( x)
                                                        N   исх


      0                 d           d+W
                              w


            Рис.6. Распределение ионно–имплантированной примеси
                        в двухслойной структуре SiO 2 -Si

Страницы