Методы расчета ионно-имплантированных структур. Быкадорова Г.В - 2 стр.

UptoLike

2
Методические указания составлены на кафедре физики полупроводников и
микроэлектроники Воронежского государственного университета доцентами
Быкадоровой Г.В . и Гольдфарбом В .А., заведующим лабораторией НИИЭТ
Дикаревым В .И. и преподавателем ВГТА Левиным А.Ю . под редакцией доктора
технических наук Асессорова В .В .
В данных методических указаниях рассмотрены методы расчета
концентрационных профилей и электрофизических параметров
полупроводниковых структур, полученных ионной имплантацией .
Каждый раздел содержит физическую и математическую модели
технологического процесса , задания и контрольные вопросы . Для ряда типовых
задач приведены решения с соответствующим программным обеспечением ,
написанным на языке Паскаль и ориентированным на использование
персональных компьютеров типа IBM.
Методические указания предназначены для проведения аудиторных занятий
и самостоятельной работы студентов физического факультета 4 и 5 курсов по
специальности 014100 "Микроэлектроника и полупроводниковые приборы", а
также студентов 6 курса , обучающихся в магистратуре по направлению "Физика"
(специализация "Полупроводниковые приборы и микроэлектроника") при
изучении спецкурсов Математическое моделирование технологических
процессов в микроэлектронике” , Физические основы технологии
полупроводниковых приборов и интегральных схем”, Физические основы
микроэлектроники и наноэлектроники”.
Печатается по решению НМС физического факультета от 14 июня 2002 г.
                                       2




     Методические указания составлены на кафедре физики полупроводников и
микроэлектроники Воронежского государственного университета доцентами
Быкадоровой Г.В. и Гольдфарбом В.А., заведующим лабораторией НИИЭТ
Дикаревым В.И. и преподавателем ВГТА Левиным А.Ю. под редакцией доктора
технических наук Асессорова В.В.




      В данных методических указаниях рассмотрены методы расчета
концентрационных       профилей      и     электрофизических     параметров
полупроводниковых структур, полученных ионной имплантацией.
      Каждый     раздел содержит физическую и       математическую модели
технологического процесса, задания и контрольные вопросы. Для ряда типовых
задач приведены решения с соответствующим программным обеспечением,
написанным на языке Паскаль и           ориентированным на использование
персональных компьютеров типа IBM.
      Методические указания предназначены для проведения аудиторных занятий
и самостоятельной работы студентов физического факультета 4 и 5 курсов по
специальности 014100 "Микроэлектроника и полупроводниковые приборы", а
также студентов 6 курса, обучающихся в магистратуре по направлению "Физика"
(специализация "Полупроводниковые приборы и микроэлектроника") при
изучении спецкурсов       “Математическое моделирование технологических
процессов    в    микроэлектронике”,    “Физические    основы    технологии
полупроводниковых приборов и интегральных схем”, “Физические основы
микроэлектроники и наноэлектроники”.

        Печатается по решению НМС физического факультета от 14 июня 2002 г.