Методы расчета ионно-имплантированных структур. Быкадорова Г.В - 5 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

5
N(x)
N
исх
N
a
(x)
N
б
(x)
0 x
je
x
x
.
NR2
Q
ln2RRx
исхPa
a
PaPajk
∆π
∆+=
Толщина базовой области w может быть определена как w ≅ x
jk
-x
je
.
Рис.1. Результирующее распределение ионно-имплантированных примесей
в n-p-n транзисторе
Задания
1. Рассчитать концентрационный профиль и глубины залегания коллекторного и
эмиттерного p-n переходов в ионно-имплантированной транзисторной
структуре, сформированной в кремниевой подложке марки КЭФ 0.5. Базовая
имплантация ионами бора проводится при энергии 100 кэВ и дозе
10 мкКл/см
2
, а эмиттерная область имплантируется ионами фосфора с энергией
200 кэВ и дозой 200 мкКл/см
2
.
Построить полученный результирующий профиль в
полулогарифмических координатах lg |N(x)| – x.
Примечание. Для вычисления параметров гауссовских распределений по
энергии можно воспользоваться следующими аппроксимирующими
полиномами:
- для ионов бора
;)E(lg0262.0)E(lg0773.0Elg8786.0613.0Rlg
32
P
⋅−⋅+⋅+=
;)E(lg0135.0)E(lg0616.0Elg8594.0482.0Rlg
32
P
⋅−⋅−⋅+=∆
- для ионов фосфора
;)E(lg0581.0)E(lg3769.0Elg1861.0682.0Rlg
32
P
⋅−⋅+⋅+=
32
P
)E(lg0711.0)E(lg3478.0Elg2209.0401.0Rlg ⋅−⋅+⋅+=∆
. 
                                                       5

                                                              Qa
                                x jk =R Pa +∆R Pa 2 ln                   .
                                                           2π∆R Pa N исх


Толщина базовой области w может быть определена как w≅xjk-xje .


          N(x)



                     Na(x)




                        Nб(x)                                 Nисх


             0                    xje          xjk                    x


   Рис.1. Результирующее распределение ионно-имплантированных примесей
                             в n-p-n транзисторе

                                               Задания

1. Рассчитать концентрационный профиль и глубины залегания коллекторного и
   эмиттерного p-n переходов в ионно-имплантированной транзисторной
   структуре, сформированной в кремниевой подложке марки КЭФ0.5. Базовая
   имплантация ионами бора проводится при энергии 100 кэВ и дозе
   10 мкКл/см2, а эмиттерная область имплантируется ионами фосфора с энергией
   200 кэВ и дозой 200 мкКл/см2.
          Построить      полученный       результирующий      профиль       в
    полулогарифмических координатах lg |N(x)| – x.
          Примечание. Для вычисления параметров гауссовских распределений по
    энергии можно воспользоваться следующими аппроксимирующими
    полиномами:
   - для ионов бора
                  lg R P =0.613 +0.8786 ⋅ lg E +0.0773 ⋅ (lg E) 2 −0.0262 ⋅ (lg E) 3 ;
                 lg ∆R P =0.482 +0.8594 ⋅ lg E −0.0616 ⋅ (lg E) 2 −0.0135 ⋅ (lg E) 3 ;
    - для ионов фосфора
                  lg R P =0.682 +0.1861 ⋅ lg E +0.3769 ⋅ (lg E) 2 −0.0581 ⋅ (lg E) 3 ;
                 lg ∆R P =0.401 +0.2209 ⋅ lg E +0.3478 ⋅ (lg E) 2 −0.0711 ⋅ (lg E ) 3 .

Страницы