Методы расчета ионно-имплантированных структур. Быкадорова Г.В - 6 стр.

                                      6



                               Решение

  Для расчета концентрационного профиля в заданной транзисторной
структуре написана программа PR1, работающая в интерактивном режиме.
Эта программа обладает элементами интеллекта и не только проводит расчет
распределения ионно-имплантированных примесей любого типа, но и
анализирует условия, при которых может быть сформирована транзисторная
структура.

Program PR1(input,output);
{распределение примеси при двойной последовательной имплантации}
     label 1,3;
     const Pi=3.1415926;
             e=1.6e-19; csi=’ ‘(155);
     type mas=array [0..100] of real;
     var Qe,Qb,ro,m,Ee,Eb,Rpe,Rpb,dRpe,dRpb,Xje,Xjk,Xmax,Ni,h,Dt,z:real;
         i:integer; X,N:mas; Ans,ans1,o,tip,tipb,tipe:char; f:text;
procedure junc_e(var x:real); {вычисление эмиттерного p-n перехода}
     var b,a,c:real;
begin
   a:=-dRpe*dRpe +dRpb*dRpb; b:=Rpd*dRpe*dRpe -Rpe*dRpb*dRpb;
   c:=-(Rpb*Rpb)*(dRpe*dRpe)+(Rpe*Rpe)*(dRpb*dRpb);
   c:=c+2*(dRpb*dRpb)*(dRpe*dRpe)*ln(Qb*dRpe/Qe/dRpb);
   if (b*b-a*c)>=0 then x:=(-b+sqrt(b*b-a*c))/a else x:=-1 end;
procedure junc_k(var x:real); {вычисление коллекторного p-n перехода}
     var a:real;
begin
   a:=2*ln(Qb/sqrt(2*Pi)/dRpb/Ni);
   if a>=0 then x:=Rpb+dRpb*sqrt(a) else x:=-1 end;
procedure point(x:real; var N:real); {вычисление концентрации}
       begin
   N:=Qb/sqrt(2*Pi)/dRpb*exp(-(x-Rpb)*(x-Rpb)/2/(dRpb*dRpb));
   N:=(N-Qe/sqrt(2*Pi)/dRpe*exp(-(x-Rpe)*(x-Rpe)/2/(dRpe*dRpe))-Ni) end;
procedure boron(E:real; var Rp,dRp:real);
begin
z:= ln(E)/ln(10);
Rp:=0.613+0.8786*z+0.0773*z*z-0.0262*z*z*z;
dRp:=0.482+0.8594*z-0.0616*z*z-0.0135*z*z*;
Rp:=exp(Rp*ln(10)); dRp:=exp(dRp*ln(10));
Rp:=Rp*1e-7; dRp:=dRp*1e-7
end;