Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 145 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

145
десорбционными процессами (Е
а
= 0.85±0.05 эВ). Эти значения ниже
как теплоты испарения продуктов реакции (1.6 эВ для Cu
3
Cl
3
и 2.2 эВ
для CuCl), так и энергии активации газового травления меди в хлоре,
которая в интервале температур выше 500 К близка к теплоте испарения
Cu
3
Cl
3
. Это указывает на дополнительную активацию десорбции в
условиях плазменного травления при электронной и ионной
бомбардировке образца. При Т > 500 K процесс плазменного травления
протекает стационарно в кинетическом режиме и имеет первый
кинетический порядок по концентрации химически активных частиц в
газовой фазе.
Основной технологической проблемой травления меди в
хлорсодержащих газах является то, что для полного удаления продуктов
реакции с поверхности при отсутствии иных стимулирующих факторов
необходима температура порядка 250
0
С (рис. 3.6.7). Поэтому развитие
технологии травления идет по пути поиска таких факторов.
Положительные результаты получены в плазменном процессе,
активированном внешним УФ излучением с длиной волны 300 нм.
Благодаря эффективной фотодесорбции продуктов реакции с
поверхности процесс протекает в кинетическом режиме уже при
комнатных температурах, а энергия активации травления в диапазоне
температур 353 – 493 К составляет 0.12 эВ. В этих условиях абсолютная
величина скорости травления достигает 400 нм/мин и линейно
возрастает с ростом интенсивности УФ излучения.
а)
б)
Рис. 3.6.7. Морфология поверхности Cu после травления в плазме Cl
2
(600 Вт, 20 мтор, 1 мин): а - 25
0
С; б - 220
0
С. По данным работы S. Lee,
Y. Kuo Chlorine Plasma Copper Reaction in a New Copper Dry Etching
Process // J. Electrochem. Soc.148(9), 2001, p. G524.
Еще одним новым направлением для снижения рабочей
температуры является перевод хлоридов меди, образующихся в ходе 
десорбционными процессами (Еа = 0.85±0.05 эВ). Эти значения ниже
как теплоты испарения продуктов реакции (1.6 эВ для Cu3Cl3 и 2.2 эВ
для CuCl), так и энергии активации газового травления меди в хлоре,
которая в интервале температур выше 500 К близка к теплоте испарения
Cu3Cl3. Это указывает на дополнительную активацию десорбции в
условиях плазменного травления при электронной и ионной
бомбардировке образца. При Т > 500 K процесс плазменного травления
протекает стационарно в кинетическом режиме и имеет первый
кинетический порядок по концентрации химически активных частиц в
газовой фазе.
     Основной технологической проблемой травления меди в
хлорсодержащих газах является то, что для полного удаления продуктов
реакции с поверхности при отсутствии иных стимулирующих факторов
необходима температура порядка 250 0С (рис. 3.6.7). Поэтому развитие
технологии травления идет по пути поиска таких факторов.
Положительные результаты получены в плазменном процессе,
активированном внешним УФ излучением с длиной волны 300 нм.
Благодаря эффективной фотодесорбции продуктов реакции с
поверхности процесс протекает в кинетическом режиме уже при
комнатных температурах, а энергия активации травления в диапазоне
температур 353 – 493 К составляет 0.12 эВ. В этих условиях абсолютная
величина скорости травления достигает 400 нм/мин и линейно
возрастает с ростом интенсивности УФ излучения.




                   а)                                  б)
Рис. 3.6.7. Морфология поверхности Cu после травления в плазме Cl2
(600 Вт, 20 мтор, 1 мин): а - 25 0С; б - 220 0С. По данным работы S. Lee,
Y. Kuo Chlorine Plasma Copper Reaction in a New Copper Dry Etching
Process // J. Electrochem. Soc.148(9), 2001, p. G524.

     Еще одним новым направлением для снижения рабочей
температуры является перевод хлоридов меди, образующихся в ходе

                                  145

Страницы