Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 147 стр.

     Для широкого круга металлов и полупроводников, основными
ХАЧ, обеспечивающими травление, являются атомы галогенов, при
этом в ходе реакции образуются ненасыщенные галогениды, которые,
не всегда обладают достаточной летучестью при температурах
процесса. Поэтому для эффективного проведения процесса травления
необходима активация десорбции продуктов с поверхности
(дополнительный нагрев, ионная бомбардировка, УФ излучение). Для
большинства материалов реакция травления протекает в стационарной
области, в кинетическом режиме и имеет первый кинетический порядок
по концентрации ХАЧ в газовой фазе. При проведении процесса в
кинетическом режиме температурные зависимости скорости и
вероятности взаимодействия подчиняются закону Аррениуса.

                   3.8. Контрольные вопросы

1.  По каким признакам классифицируются процессы взаимодействия
    активных частиц плазмы с поверхностью твердого тела?
2. Охарактеризуйте эффекты взаимодействия ускоренных ионов с
    поверхностью.
3. Что такое коэффициент распыления? Какими параметрами он
    определяется?
4. Что     включает     понятие    многоканальности    гетерогенного
    плазменного процесса?
5. Что     включает     понятие   многостадийности     гетерогенного
    плазменного процесса? Что такое лимитирующая стадия процесса?
6. Назовите режимы протекания гетерогенной химической реакции в
    плазме. В чем заключаются их отличия?
7. Как оценить летучесть продуктов взаимодействия ХАЧ с
    поверхностью? Как влияет эта величина на режим проведения
    процесса и его скорость?
8. Охарактеризуйте       основные     особенности     адсорбционно-
    десорбционных процессов ХАЧ.
9. Какими      факторами     определяется    зависимость    скорости
    гетерогенного плазменного процесса от операционных параметров
    процесса?
10. Охарактеризуйте основные механизмы десорбции продуктов
    взаимодействия, назовите их кинетические характеристики.
11. Назовите    основные     особенности   плазменного     травления
    полупроводниковых материалов – Si, GaAs.
12. Назовите основные особенности плазменного травления меди и
    алюминия.

                                147