Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 150 стр.

UptoLike

150
материал. Наибольшее распространение получили такие перспективные
методы, как реактивное ионное травление (RIE, Reactive Ion Etching),
лазерно- (LIE, Laser Induced Etching) и фото-стимулированные процессы
(PIE, Photo Induced Etching).
4.2. Технологические требования и параметры,
характеризующие процесс травления
Процесс плазменного травления характеризуется скоростью,
анизотропией, разрешающей способностью, селективностью,
равномерностью и текстурой, загрузочным эффектом.
Скорость плазменного травления характеризует скорость
удаления материала и измеряется в нм/мин или других аналогичных
единицах. При выборе скорости процесса необходимо учитывать
следующие соображения: во-первых, длительный цикл технологической
обработки нежелателен по соображениям снижения
производительности аппаратуры. Во-вторых, нежелательны и слишком
быстрые технологические процессы по причине ухудшения
воспроизводимости результатов, равномерности обработки и т. д. На
наш взгляд, наиболее целесообразны времена обработки от нескольких
минут до часа, хотя в реальной технологии могут быть отклонения в ту
или иную сторону. Поэтому если глубина травления задана, то скорость
процесса может предварительно оценена, и эти оценки могут быть
использованы при подборе технологических режимов.
Анизотропия это фактор, характеризующий искажение
изображения при переносе его с маски на объект за счет бокового
подтравливания (рис. 4.2.1). Анизотропия может быть определена как
отношение скоростей травления материала по нормали и по касательной
к поверхности или как отношение глубины травления h к боковому
подтравливанию δ:
δ
hRRA
=
=
||
. Очевидно, что чем выше
анизотропия, тем выше качество получаемых изделий, хотя в ряде
случаев изотропное травление позволяет получить положительные
результаты.
а) б)
Рис. 4.2.1. Примеры анизотропного (а) и изотропного травления (б)
Разрешающая способность характеризует степень интеграции
материал. Наибольшее распространение получили такие перспективные
методы, как реактивное ионное травление (RIE, Reactive Ion Etching),
лазерно- (LIE, Laser Induced Etching) и фото-стимулированные процессы
(PIE, Photo Induced Etching).

        4.2. Технологические требования и параметры,
              характеризующие процесс травления

     Процесс плазменного травления характеризуется скоростью,
анизотропией,     разрешающей       способностью,   селективностью,
равномерностью и текстурой, загрузочным эффектом.
     Скорость плазменного травления характеризует скорость
удаления материала и измеряется в нм/мин или других аналогичных
единицах. При выборе скорости процесса необходимо учитывать
следующие соображения: во-первых, длительный цикл технологической
обработки       нежелателен      по      соображениям      снижения
производительности аппаратуры. Во-вторых, нежелательны и слишком
быстрые технологические процессы по причине ухудшения
воспроизводимости результатов, равномерности обработки и т. д. На
наш взгляд, наиболее целесообразны времена обработки от нескольких
минут до часа, хотя в реальной технологии могут быть отклонения в ту
или иную сторону. Поэтому если глубина травления задана, то скорость
процесса может предварительно оценена, и эти оценки могут быть
использованы при подборе технологических режимов.
     Анизотропия – это фактор, характеризующий искажение
изображения при переносе его с маски на объект за счет бокового
подтравливания (рис. 4.2.1). Анизотропия может быть определена как
отношение скоростей травления материала по нормали и по касательной
к поверхности или как отношение глубины травления h к боковому
подтравливанию δ: A = R|| R⊥ = h δ . Очевидно, что чем выше
анизотропия, тем выше качество получаемых изделий, хотя в ряде
случаев изотропное травление позволяет получить положительные
результаты.




                     а)                      б)
  Рис. 4.2.1. Примеры анизотропного (а) и изотропного травления (б)

     Разрешающая способность характеризует степень интеграции

                                150