Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 166 стр.

Подложки можно последовательно вводить в поток активного газа,
вытекающий из разрядной камеры, а затем перемещать на другую
позицию, где будет проводиться следующая операция травления или
нанесения слоев материала с помощью другой разрядной камеры. Таким
образом, индивидуальная обработка подложек позволяет совместить
несколько операций в одном вакуумном цикле и создать установки
непрерывного действия, что чрезвычайно затруднено при кассетной
загрузке подложек. Появляется также возможность индивидуального
контроля каждой подложки и облегчается автоматизация процесса.
      Варианты конструкций реакторов для индивидуальной обработки
подложек, позволяющие проводить одну операцию, представлены на
рис. 4.5.1,и,к,п,м,р. В этих реакторах разрядная и реакционная камеры
для упрощения объединены. Поток газа из разрядной камеры может
доставляться также к нескольким подложкам, расположенным в одной
реакционной камере (рис.4.5.1,з,о,с) и в несколько реакционных камер
(рис.4.5.1,к,п) в зависимости от требований конкретного процесса
травления. В большинстве реакторов разряд в реакционной камере
возбуждают с помощью электродных и безэлектродных ВЧ и СВЧ
разрядов. Электроды обычно выполнены в виде плоских пластин с
отверстиями, через которые протекает поток газа. Для более полной
доставки активных частиц потоком газа из плазмы к подложкам стенки
разрядной камеры охлаждают, а в реакционной зоне устанавливают
вкладыш из оксида алюминия (рис.4.5.1,и). Таким способом уменьшают
потери активных частиц на взаимодействие со стенками реактора и
позволяют увеличить скорость травления вдвое. Сохранение активных
частиц происходит и при наличии дополнительных электродов,
соединенных с ВЧ генератором и поддерживающих разряд в каналах, по
которым транспортируются частицы (рис.4.5.1,п). Такое устройство
особенно эффективно при значительном удалении подложек от
разрядной зоны. В реакторах разрядную зону можно расположить так,
что излучение плазмы не будет попадать на подложки (рис.4.5.1,к-м) и,
следовательно, облегчится процесс визуального контроля травления.
Между реакционной и разрядной камерами можно расположить кран
или вентиль (рис.4.5.1, н), степень открытия которых позволяет
регулировать условия травления. Для разделения разрядной и
реакционной зон может служить магнитное поле, которое препятствует
проникновению заряженных частиц к подложкам (рис.4.5.1,с).
      Скорость РТ при одних и тех же операционных параметрах
процесса (удельной мощности разряда, давлении газа, скорости потока
газа и др.) всегда меньше скорости ПТ из-за рекомбинации ХАЧ при
доставке из зоны плазмы в реакционную зону и отсутствия стимуляции
химических реакций ионной бомбардировкой и излучением плазмы.
                                166