Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 168 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

168
Рис. 4.5.2. Зависимость скорости РТ от параметров процесса: а - от
расстояния между подложкой и границей зоны плазмы для Si (13 Па,
200 Вт, 1 - CF
4
, 2 - 95%CF
4
+5%O
2
, 3 - 90%CF
4
+10%O
2
, 4 -
40%CF
4
+60%O
2
, 5 - 65%CF
4
+35%O
2
, 6 - 90%SF
6
+10%O
2
, 7 -
67%SF
6
+33%O
2
), б - от содержания O
2
в смеси CF
4
+O
2
для Si, в - от
расстояния между подложкой и границей зоны плазмы для Si в
50%CF
4
+50%O
2
в реакторах из Al (1) и кварца (2), г - от температуры
для Si в SF
6
, д - от вкладываемой мощности для SiО
2
в CF
4
, е - от
давления для SiО
2
в CF
4
, ж - от площади обрабатываемой поверхности в
CF
4
для Si (1) и SiО
2
(2), з - для Si в CF
4
от концентрации примеси P (1) и
B (2) в Si
На зависимостях скорости РТ от давления газа обычно
наблюдается максимум (рис. 4.5.2,е), обусловленный аналогичной
зависимостью скорости генерации ХАЧ в разрядной зоне. Причина
этого эффекта была рассмотрена в предыдущем разделе. В 
Рис. 4.5.2. Зависимость скорости РТ от параметров процесса: а - от
расстояния между подложкой и границей зоны плазмы для Si (13 Па,
200 Вт, 1 - CF4, 2 - 95%CF4+5%O2, 3 - 90%CF4+10%O2, 4 -
40%CF4+60%O2, 5 - 65%CF4+35%O2, 6 - 90%SF6+10%O2, 7 -
67%SF6+33%O2), б - от содержания O2 в смеси CF4+O2 для Si, в - от
расстояния между подложкой и границей зоны плазмы для Si в
50%CF4+50%O2 в реакторах из Al (1) и кварца (2), г - от температуры
для Si в SF6, д - от вкладываемой мощности для SiО2 в CF4, е - от
давления для SiО2 в CF4, ж - от площади обрабатываемой поверхности в
CF4 для Si (1) и SiО2 (2), з - для Si в CF4 от концентрации примеси P (1) и
B (2) в Si

     На зависимостях       скорости РТ от давления газа обычно
наблюдается максимум       (рис. 4.5.2,е), обусловленный аналогичной
зависимостью скорости     генерации ХАЧ в разрядной зоне. Причина
этого эффекта была         рассмотрена в предыдущем разделе. В
                                   168

Страницы