Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 169 стр.

цилиндрических реакторах с перфорированными металлическими
экранами диапазон рабочих давлений обычно составляет 100 - 700 Па
для ВЧ индукционных разрядов и 20 -100 Па для безэлектродных ВЧ
емкостных разрядов. В реакторах с электродными ВЧ емкостными
разрядами и разделением разрядной и реакционных камер диапазон
рабочих давлений составляет 5 - 50 Па, а при использовании магнитного
поля или СВЧ разрядов 0.1 - 1 Па. Давление является важным
параметром, влияющим на равномерность и анизотропию радикального
травления. С понижением рабочего давления увеличивается
анизотропия, а следовательно, и разрешающая способность процесса.
Это явление, как и при плазменном травлении, связано с увеличением
длины свободного пробега и уменьшением рассеивания активных
частиц вследствие столкновений. При этом уменьшается вероятность
попадания активных частиц на боковые стенки подвергаемых
травлению элементов, особенно если эти элементы небольшие.
Возможно радикальное травление, при котором давление в реакционной
и разрядной камерах различно. В этом случае играет роль не только
значение давления, но и его перепад между камерами, который будет
определять величину и скорость потока газа, доставляющего активные
частицы к подложкам.
      Скорость РТ при прочих одинаковых параметрах процесса сильно
зависит от расхода (скорости потока) газа. При подаче газового потока
параллельно поверхности пластин на зависимости скорости РТ от
расхода газа обычно имеется максимум. Увеличение расхода газа
сначала приводит к росту скорости РТ за счет увеличения
эффективности доставки ХАЧ из области плазмы в реакционную зону.
При больших скоростях потока время пребывания газа в реакционной
зоне становится малым, при этом возрастает доля ХАЧ, которые
откачиваются не успев вступить в реакцию с материалом подложки. В
системах РТ с перфорированным цилиндром расход газа составляет 50 -
100 см3/мин, а в системах с доставкой активных частиц потоком газа 4 -
30 см3/мин.
      Когда лимитирующей стадией РТ является доставка ХАЧ к
поверхности, скорость процесса зависит от площади обрабатываемой
поверхности, то есть проявляется загрузочный эффект. Для процессов,
протекающих в кинетическом режиме, такая зависимость отсутствует
(рис. 4.5.2,ж).
      Кроме операционных параметров существует ряд неуправляемых
и трудноконтролируемых факторов, которые оказывают влияние на
скорость РТ. Это в первую очередь вид и состояние поверхности
обрабатываемого материала, а также наличие примесей в рабочем газе.
При травлении легированных полупроводников наблюдается
                                 169