Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 171 стр.

материала, при которых загрузочный эффект не проявляется и скорость
травления     определяется   присущими     материалу   свойствами.
Следовательно, небольшие площади обработки, например, поштучная
индивидуальная обработка пластин, предпочтительнее с точки зрения
получения меньшего подтравливания под маску. Снижение рабочего
давления позволяет добиться анизотропного радикального травления.
Так, при давлениях меньше 1 Па может быть достигнут показатель
анизотропии 8 - 12 и, соответственно, минимальный размер элементов
0.3-0.5 мкм. Таким образом, освоение области субмикронных размеров
связано с созданием систем радикального травления, работающих при
давлениях меньше 1 Па.

            4.6. Ионно-плазменное травление (ИПТ)

      При ионно-плазменном травлении удаление поверхностных слоев
материалов осуществляется за счет физического распыления ионами
инертных газов или других ионов, химически не реагирующих с
обрабатываемым материалом. При этом он находится в контакте с
зоной плазмы, а необходимая энергия ионов обеспечивается подачей на
материал отрицательного смещения. Для ионной очистки поверхности
материалов (удаления адсорбированных частиц) обычно используют
ионы с энергией в диапазоне от 20 до 100 эВ, а для ионного травления
(удаления слоев основного материала) - от 100 до 1000 эВ. В первом
диапазоне распыление осуществляется в режиме первичного прямого
выбивания, а во втором - как в режиме первичного выбивания, так и в
режиме линейных каскадов.
      По способу возбуждения и поддержания электрического разряда
системы ИПТ подразделяются на системы с разрядами постоянного
тока (ПТ), системы с самостоятельными ВЧ разрядами, а также системы
на постоянном токе и высокой частоте с искусственным поддержанием
разряда, где разряд поддерживается с помощью вспомогательных
средств: термоэлектронной эмиссии, ВЧ и магнитных полей. Системы
ИПТ     можно     классифицировать    по    числу    электродов   на
двухэлектродные     (диодные),    трехэлектродные     (триодные)   и
многоэлектродные (четыре и более электродов). Кроме того, по форме и
расположению электродов системы ИПТ могут быть горизонтальными с
плоскими электродами (планарные) и вертикальными с электродами в
виде цилиндров и многогранных призм.
      Наиболее распространенные варианты конструкций системы
ионно-плазменного травления приведены на рис. 4.6.1. Планарная
диодная ВЧ система (рис.4.6.1,а) содержит два дисковых электрода:
заземленный (анод) и ВЧ электрод (или мишень), на который подается
                                171