Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 170 стр.

зависимость скорости травления от вида и концентрации легирующей
примеси (рис. 4.5.2,з). Более высокую скорость РТ кремния,
легированного фосфором, по сравнению с кремнием, легированным
бором, можно объяснить более высокой летучестью PF5 по сравнению с
BF3.
      По сравнению с плазменным и реактивным ионно-плазменным
травлением, РТ обладает следующими преимуществами:
1. При РТ температура обрабатываемых подложек значительно ниже,
   поэтому может быть получена большая селективность травления
   различных материалов. Так, отношение скоростей травления Si/SiO2
   в CF4 при плазменном травлении равно 8 - 10, а при радикальном
   травлении возрастает до 30 - 50. Нагревание подложек, подвергаемых
   радикальному травлению, происходит вследствие экзотермического
   эффекта химической реакции и излучения плазмы. Равновесная
   температура в зоне реакции при радикальном травлении внутри
   перфорированного цилиндра обычно не превышает 150°С, что
   значительно ниже температуры, которая установилась бы при
   отсутствии цилиндра. Это можно объяснить отсутствием внутри
   цилиндра рекомбинации заряженных частиц, при которой выделяется
   большое количество тепла, а также отсутствием ионной и
   электронной бомбардировки обрабатываемых подложек.
2. При некоторых режимах возможно РТ через незадубленные
   фоторезистивные маски. Хорошая стойкость фоторезиста при
   радикальном травлении позволяет использовать тонкие маски (0.1—
   0.3 мкм) и получать более высокое разрешение элементов
   микросхем.
3. Отсутствие ионной бомбардировки поверхности пластин исключает
   термические и радиационные повреждения кристаллических
   структур, а также и появление индуцированных зарядов на
   обработанной поверхности. Последнее особенно важно при
   производстве МДП структур.
      Так как РТ обеспечивается только химической реакцией между
активными частицами и атомами обрабатываемого материала, его
основным недостатком является изотропность, то есть скорость
травления по нормали к поверхности близка к скорости бокового
подтравливания. На величину подтравливания оказывают влияние, в
основном, три фактора: температура обрабатываемых подложек,
площадь, подвергаемая травлению, и состав рабочего газа. Снижение
температуры уменьшает подтравливание, но при этом снижается
абсолютное значение скорости травления. Поэтому для повышения
скорости травления в рабочий газ CF4 добавляют О2. Меньшее
подтравливание наблюдается при малых площадях обрабатываемого
                                170