Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 182 стр.

разряда основной вклад в РИПТ кремния вносит химическая реакция.
Увеличение вкладываемой мощности приводит к насыщению скорости
химического взаимодействия, при этом дальнейший вклад в увеличение
скорости травления вносит только физическое распыление. Влияние
давления рабочего газа на скорость РИПТ (рис. 4.7.2,г) сочетает
признаки плазменного и ионного плазменного процессов. Начальное
возрастание скорости травления с ростом давления можно объяснить
увеличением числа энергетических и химически активных частиц,
связанным с повышением концентрации молекул рабочего газа. Однако
с ростом давления уменьшается средняя энергия электронов, поэтому
эффективность диссоциации и ионизации снижается. Соответственно,
начинает снижаться и РИПТ. Кроме этого, с увеличением давления
уменьшается длина свободного пробега ионов и энергия ионов,
бомбардирующих поверхность обрабатываемого материала. При
давлении выше 100 Па характеристики РИПТ приближаются к
характеристикам плазменного травления.
     Если стадия доставки энергетических и химически активных
частиц является лимитирующей, то скорость РИПТ при постоянном
давлении возрастает с увеличением расхода рабочего газа, достигает
максимума, что связано с увеличением эффективности доставки
химически активных частиц к поверхности обрабатываемого материала.
При дальнейшем увеличении расхода газа наступает такой момент,
когда химически активные частицы будут уноситься потоком газа и
откачиваться, не успев вступить в реакцию с обрабатываемым
материалом. Следовательно, скорость травления будет уменьшаться при
больших расходах рабочего газа. Наличие загрузочного эффекта
отмечается в процессах РИПТ с доминированием химического
механизма. Примерами таких процессов являются травление алюминия
и сплавов на его основе в хлорсодержащей плазме, кремния во
фторсодержащей плазме, титана, молибдена, вольфрама, ниобия и
тантала во фторсодержащей плазме. При обработке больших
поверхностей    материала,   обладающего     высокой    химической
активностью к генерируемым химически активным частицам, скорость
травления стремится к уровню, определяемому физическим
распылением (рис. 4.7.2,е).
     В результате ионной бомбардировки, излучения плазмы и
химической реакции на обрабатываемой поверхности выделяется
большое количество теплоты, и ее температура повышается. Скорость
физического распыления материалов не зависит от температуры вплоть
до 700 К, однако на скорость гетерогенной химической реакции
температура может оказывать двоякое действие. Если лимитирующей
стадией является адсорбция ХАЧ, скорость которой уменьшается с
                               182