Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 184 стр.

      Селективность РИПТ изменяется в широких пределах в
зависимости от операционных и конструкционных параметров процесса
(рис. 4.7.3). При РИПТ Al наибольшая селективность по отношению к
SiO2 достигается в CCl4, увеличивается с ростом давления (рис. 4.7.3,а),
но снижается с ростом вкладываемой мощности (рис. 4.7.3,б). Эффект
давления обусловлен ростом скорости химического травления Al, в то
время как скорость травления SiO2 снижается из-за снижения энергии
ионов, бомбардирующих поверхность. При увеличении вкладываемой
мощности скорость РИПТ SiO2 возрастает быстрее, поэтому
селективность процесса снижается. Зависимость селективности от
скорости потока газа через реактор (рис. 4.7.3,в) проявляется через
изменения времени пребывания ХАЧ у обрабатываемой поверхности. В
системе SiO2/Si, снижение времени пребывания ХАЧ сказывается, в
первую очередь, на скорости травления кремния. Поэтому рост
скорости потока газа приводит к росту селективности SiO2/Si.
Максимум на зависимости селективности РИПТ от мощности разряда в
системе SiO2/Si (рис. 4.7.3,г) также связан с перераспределение вкладов
физического и химического механизмов травления. Селективность
РИПТ зависит также от материала электрода, на котором находятся
обрабатываемые пластины. Эффект, отмеченный на рис. 4.7.3,д может
быть обусловлен уменьшением отношения концентраций F C при
выделении CnF2n из фторопласта или распылением атомов углерода.




Рис. 4.7.3. Зависимость селективности РИПТ от операционных и
конструкционных параметров: а - давления SiCl4, б - плотности ВЧ
мощности в SiCl4, в - расхода газа в смеси CF4+H2, г- ВЧ мощности в
смеси C2F6+CHF3+H2, д - давления CF4 при различных материалах
электродов, е - от ВЧ мощности в триодной системе в CF4
                                 184