Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 185 стр.

      Равномерность РИПТ определяется, в основном, двумя факторами:
равномерностью доставки химически активных частиц к поверхности и
равномерностью распределения температуры. Преобладание влияния
того или иного фактора на равномерность травления определяется
лимитирующей стадией конкретного процесса. Если лимитирующей
является стадия доставки ХАЧ, то равномерность травления
определяется равномерностью распределения ХАЧ у поверхности
обрабатываемого материала (то есть от равномерности плотности
плазмы и газового потока), но практически не зависит от распределения
температуры и концентрации активных центров по поверхности
материала. Равномерности плотности плазмы добиваются с помощью
специальной конструкции электродов, экранов и реактора, а также
подбором соответствующих параметров процесса (давления, мощности
и др.). Равномерность газового потока обеспечивают его оптимальной
организацией с помощью геометрии и определенного расположения
коллекторов и откачных отверстий. Если лимитирующей является
стадия химической реакции, то равномерность травления определяется,
в основном, распределением температуры и концентрации активных
центров на поверхности материала. В этом случае равномерности
травления добиваются, обеспечивая одинаковую температуру
обрабатываемых образцов и ее стабилизацию.
      Разрешение РИПТ целиком определяется его анизотропией. Чем
выше показатель анизотропии, тем с меньшими искажениями размеров
переносит он рисунок с маски на слой рабочего материала и тем более
он подходит для получения субмикронных размеров. Анизотропия
травления определяется направленным воздействием энергетических и
химически активных частиц на поверхность материала. При РИПТ
электромагнитное поле, создаваемое ВЧ напряжением, приложенным к
электродам, обеспечивает бомбардировку материала заряженными
частицами перпендикулярно его поверхности (если подложки
расположены на электродах), что увеличивает скорость травления по
нормали к поверхности относительно скорости бокового травления.
Однако в травлении участвуют не только заряженные частицы, но и
свободные атомы и радикалы, движение которых не столь упорядочено.
Поэтому РИПТ обладает меньшей анизотропией, а следовательно,
меньшей разрешающей способностью по сравнению с чисто ионными
процессами. На анизотропию оказывают влияние также состав рабочего
газа, вид обрабатываемого материала и маскирующего покрытия.
Например, замена традиционно используемой смеси CF4+O2 такими
газовыми средами, как CF3CI, СВrF3 или 70%CBrF3+30%Не позволяет
значительно      повысить       анизотропию       РИПТ       кремния,
поликристаллического кремния и молибдена. Увеличение анизотропии
                                185