Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 183 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

183
ростом температуры, то скорость РИПТ будет также снижаться. Такой
эффект отмечается, например, при травлении кремния в плазме СС1
4
.
Если лимитирующей является стадия химического взаимодействия или
десорбция продуктов реакции, скорость которых увеличивается с ростом
температуры, то скорость РИПТ будет также увеличиваться. Рис.
4.7.2,ж,з) представляют зависимости скорости РИПТ от конструкционных
параметров триодной и магнетронной систем. В первом случае таким
параметром является расстояние от триодной сетки до ВЧ электрода, с
ростом которого снижается плотность (концентрация заряженных частиц)
плазмы в этом промежутке. Это вызывает снижение скорости РИПТ,
которое будет тем заметнее, чем выше вклад физического механизма в
общую скорость процесса. На этом же принципе базируется и влияние
индукции магнитного поля в магнетронной системе.
Рис. 4.7.2. Зависимость скорости РИПТ от параметров процесса: а - ВЧ
мощности в CHF
3
, б - ВЧ мощности в CF
4
, в - ВЧ мощности в смеси
C
2
F
6
+CHF
3
+He, г - давления в CF
4
, д - добавки водорода в CF
4
,
е - степени загрузки (числа пластин) в SF
6
, ж - расстояния между ВЧ
электродом и сеткой в триодной системе в CHF
3
, з - магнитной
индукции в планарной магнетронной системе в CHF
3
ростом температуры, то скорость РИПТ будет также снижаться. Такой
эффект отмечается, например, при травлении кремния в плазме СС14.
Если лимитирующей является стадия химического взаимодействия или
десорбция продуктов реакции, скорость которых увеличивается с ростом
температуры, то скорость РИПТ будет также увеличиваться. Рис.
4.7.2,ж,з) представляют зависимости скорости РИПТ от конструкционных
параметров триодной и магнетронной систем. В первом случае таким
параметром является расстояние от триодной сетки до ВЧ электрода, с
ростом которого снижается плотность (концентрация заряженных частиц)
плазмы в этом промежутке. Это вызывает снижение скорости РИПТ,
которое будет тем заметнее, чем выше вклад физического механизма в
общую скорость процесса. На этом же принципе базируется и влияние
индукции магнитного поля в магнетронной системе.




Рис. 4.7.2. Зависимость скорости РИПТ от параметров процесса: а - ВЧ
мощности в CHF3, б - ВЧ мощности в CF4, в - ВЧ мощности в смеси
C2F6+CHF3+He, г - давления в CF4, д - добавки водорода в CF4,
е - степени загрузки (числа пластин) в SF6, ж - расстояния между ВЧ
электродом и сеткой в триодной системе в CHF3, з - магнитной
индукции в планарной магнетронной системе в CHF3
                                183

Страницы