Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 186 стр.

объясняется тем, что реакция травления в этих газах преобладает над
реакцией рекомбинации радикалов с образованием исходных молекул
рабочего газа. А так как боковые поверхности элементов не
подвергаются ионной бомбардировке, то травление происходит только
по нормали к поверхности.
     Подобно ионно-плазменному и ионно-лучевому процессам, РИПТ
вызывает нарушения структуры поверхностных слоев обрабатываемых
материалов, загрязнение их поверхностей распыленными частицами
электродов,      деградацию      электрофизических       параметров
обрабатываемых слоев и границ раздела между слоями, ухудшение
рабочих параметров создаваемых приборов. Однако существенный
вклад химического механизма в РИПТ значительно уменьшает
вышеперечисленные опасности по сравнению с процессами чисто
ионного травления. Например, если скорость удаления материала в
результате химической реакции достаточно высока, то нарушенные
ионной бомбардировкой слои успевают стравиться, прежде чем
дефекты диффундируют из них в глубь материала. Для устранения
нежелательных       изменений     электрофизических      параметров
обрабатываемых слоев, границ раздела между слоями и рабочих
характеристик приборов образцы после процессов РИПТ можно
подвергнуть восстанавливающему отжигу.

              4.8. Ионно-лучевое травление (ИЛТ)

     Удаление поверхностных слоев при ионно-лучевом травлении
осуществляется в результате физического распыления энергетическими
ионами инертных газов или ионами, которые химически не реагируют с
обрабатываемым материалом. Однако, в отличие от ионно-плазменного
травления, при ИЛТ поверхность обрабатываемого материала не
контактирует с плазмой, которая выполняет роль только источника
ионов. Эффективность реализации ИЛТ зависит от оптимального
выбора режимов всех составляющих стадий этого процесса, таких как
генерация ионов, распространение пучка ионов в вакууме и
взаимодействие пучка ионов с поверхностью обрабатываемого
материала.
     При распространении ионного пучка в вакууме на ИЛТ влияют
длина свободного пробега ионов, объемный заряд и расходимость
пучка, состав ионов в пучке. Длина свободного пробега ионов должна
превышать расстояние между источником ионов и подложкой;
количественно этот параметр определяется сечениями процессов
взаимодействия частиц в пучке (упругие взаимодействия с потерей
энергий и импульсов, перезарядка, диссоциацию молекулярных ионов).
                               186