Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 214 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

214
Окончание табл. 4.11.2
1 2 3 4 5 6 7
Характерная се-
лективность трав-
ления
2 - 5 2-5 5 - 10 5 - 10 10 - 30 20 - 50
Характерная рав-
номерность
травления, % (на
пластине ∅
100 мм на
неподвижном
подложкодержателе)
90 - 95 95 - 97 90 - 95 95 - 97
80 - 90
90 - 95
г)
90 - 95
е)
97 - 99
ж)
Характерная тем-
пература подложки в
процессе трав-ления
(без принуди-
тельного охлажде-
ния
подложкодержа-
теля),
О
С
200 - 400 150 - 300 150 - 250 100 - 200 150 - 250
100 - 200
е)
20 - 100
ж)
Примечания:
а)
диодные системы,
б)
многоэлектродные системы с магнитным полем,
в)
объемные реакторы,
г)
планарные реакторы,
д)
СВЧ системы,
е)
объемные реакторы с перфорированным экраном,
ж)
системы с
удаленными источниками радикалов.
214 
                                                                                        Окончание табл. 4.11.2
               1                2             3              4            5             6             7
      Характерная се-
      лективность трав-        2-5           2-5          5 - 10        5 - 10       10 - 30       20 - 50
      ления
      Характерная рав-
      номерность
      травления, % (на                                                               80 - 90      90 - 95 е)
                              90 - 95      95 - 97       90 - 95       95 - 97
      пластине ∅ 100 мм на                                                          90 - 95 г)    97 - 99 ж)
      неподвижном
      подложкодержателе)
      Характерная тем-
214




      пература подложки в
      процессе трав-ления
                                                                                                 100 - 200 е)
      (без принуди-          200 - 400    150 - 300     150 - 250     100 - 200     150 - 250
                                                                                                 20 - 100 ж)
      тельного охлажде-ния
      подложкодержа-
      теля), ОС

      Примечания: а) диодные системы, б) многоэлектродные системы с магнитным полем, в) объемные реакторы, г)
      планарные реакторы, д) СВЧ системы, е) объемные реакторы с перфорированным экраном, ж) системы с
      удаленными источниками радикалов.




                                                       214

Страницы