Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 216 стр.

но это не совсем так. Например, для поливинилхлорида при действии и
плазмы кислорода также наблюдается эффективное сшивание.
      Таким образом, для разработки плазмохимических процессов
обработки полимеров необходимы сведения, с одной стороны, о газовой
фазе – химически активных частицах, скоростях их образования-гибели
и их изменениях при изменении внешних параметров плазмы (давления,
мощности и т.д.), а с другой стороны, о процессах взаимодействия ХАЧ
с конкретными полимерами. Далее мы рассмотрим эти вопросы
применительно к технологии микроэлектроники.

5.1. Применение полимеров в технологии микроэлектроники
                   и требования к ним

      Как уже отмечалось выше, технологические процессы
микроэлектроники включают в себя повторяющиеся операции (см. рис.
4.1.1) – нанесение маскирующих, изолирующих и проводящих
покрытий, литографию (получение из сплошных покрытий заданной
топологии - рисунка), травление, создание p-n переходов (диффузия или
ионная имплантация. В производстве изделий не субмикронного
размера процессы, связанные с формированием заданной топологии,
носят жидкостной характер. Резист – полимер чувствительный к
действию того или иного вида излучений – наносится из раствора в
органическом растворителе. Наиболее часто применяемый способ
нанесения – центрифугирование. Пластина кремния (подложка) со
сформированной на ее поверхности маскирующей пленкой оксида
кремния, закрепленная на столике центрифуги, раскручивается до
определенных оборотов и на центр ее поверхности капается капля
раствора нужной вязкости и объема для получения нужной толщины
резиста. Пленка резиста засвечивается через шаблон с нужным
рисунком активным излучением. В засвеченном участке резиста
происходят радиационно-химические превращения, которые либо
упрочняют структуру полимера - резиста, например, сшивают его, либо
наоборот разрушают ее. В примере на рис. 4.1.1 происходит разрушение
облученной структуры, такой резист называется позитивным. Резист
проявляют, то есть удаляют нарушенную структуру путем промывки в
соответствующем растворе. Затем через полученное окно проводят
травление оксида кремния до кремния в растворах. Неудаленный резист
защищает покрытые им части пластины от травления. Далее резист
удаляется промывкой в растворителях и через окна в оксиде
осуществляют легирование кремния путем диффузии или ионной
имплантации. Пленка оксида служит защитой от легирования в
ненужные места.
                                216