Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 218 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

218
действию излучения. В качестве исходных материалов могут быть
использованы производные полиметилизопропенилкетона и диазида.
-CH
2
CH
3
CH
3
CH
2
-
\ / \ /
С C + H
2
N-Ar-O-ArNH
2
→
/ \ / \
H
3
C-C CH
2
C-CH
3
║ ║
O O
-CH
2
CH
3
CH
3
CH
2
-
\ / \ /
С C
/ \ / \
H
3
C-C CH C-CH
3
║ │ ║
O │ O
HN-Ar-O-ArNH
→
O │ O
║ │ ║
C CH C
/ \ / \ / \
CH
3
C CH CH
3
/ \ / \
-CH
2
CH
3
CH
3
CH
2
-
Нанесение Экспонирование Плазменное травление
Рис. 5.1.1. Схема плазменного проявления фоторезиста
В настоящее время ведутся работы и по разработке процесса
“сухого” нанесения и самого резиста. Эти работы основаны на явлении
плазмохимической полимеризации, которое было обнаружено более 130
лет назад. Такая полимеризация происходит в плазме смесей
благородных газов (обычно аргон) с небольшими добавками
относительно легких углеводородов (метан, этан, бутан) и производных
бензола. Механизм процесса заключается в том, что под действием
электронного удара происходит диссоциация углеводорода с разрывом
C-C связи и образованием соответствующих радикалов. Например,
CH
4
+e→CH
3
·
+H+e. Образовавшиеся радикалы диффундируют к
подложке, содержащей активные радикальные центры, и реагируют с 
действию излучения. В качестве исходных материалов могут быть
использованы производные полиметилизопропенилкетона и диазида.

        -CH2 CH3 CH3 CH2-
          \ /     \ /
           С        C       + H2N-Ar-O-ArNH2 →
          / \      / \
      H3C-C CH2       C-CH3
          ║            ║
          O            O

                        -CH2 CH3 CH3 CH2-
                          \ /    \ /
                           С       C
                          / \     / \
                      H3C-C CH       C-CH3
                          ║    │     ║
                          O    │      O
                              HN-Ar-O-ArNH
          →                         O    │    O
                                    ║    │    ║
                                     C CH C
                                    / \ / \ / \
                                 CH3 C      CH CH3
                                      / \    / \
                                   -CH2 CH3 CH3 CH2-

     Нанесение             Экспонирование        Плазменное травление




Рис. 5.1.1. Схема плазменного проявления фоторезиста

     В настоящее время ведутся работы и по разработке процесса
“сухого” нанесения и самого резиста. Эти работы основаны на явлении
плазмохимической полимеризации, которое было обнаружено более 130
лет назад. Такая полимеризация происходит в плазме смесей
благородных газов (обычно аргон) с небольшими добавками
относительно легких углеводородов (метан, этан, бутан) и производных
бензола. Механизм процесса заключается в том, что под действием
электронного удара происходит диссоциация углеводорода с разрывом
C-C связи и образованием соответствующих радикалов. Например,
CH4+e→CH3·+H+e. Образовавшиеся радикалы диффундируют к
подложке, содержащей активные радикальные центры, и реагируют с

                                  218

Страницы