Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 217 стр.

     Применение плазменных методов возможно практически на всех
этапах описанной технологии, но целесообразность их использования
зависит в конечном итоге от требуемого размера структуры. Если
размеры не слишком велики, то есть процессы травления не требуют
высокой    анизотропии, то      введение    плазменных   процессов
экономически не оправдывает себя. Исторически первым был
реализован процесс плазменного удаления резиста. Его использование
позволило убрать две технологические операции – промывку и сушку
пластин после жидкостного удаления резиста, улучшить чистоту и
экологические показатели процесса. Однако вакуумное оборудование
более сложное и дорогостоящее, а также требует специальных
помещений с отсутствием химических реагентов. В то же время
получение субмикронных размеров невозможно без ионно-плазменного
травления и появляется проблема перевода всей технологии на “сухие”
процессы с однотипным вакуумным оборудованием. Эти задачи
решены сейчас еще не в полной мере.
     Основными проблемами являются проблемы, связанные с
нанесением резистов и их проявлением. Проблема проявления связана
фактически с тем, что резист с точки зрения технологии должен
обладать взаимоисключающими свойствами. С одной стороны в его
составе должны быть функциональные группы, способные
активироваться актиничным излучением при экспонировании с
последующими химическими реакциями, приводящими, например, к
разрушению полимера для позитивного резиста для воспроизведения
соответствующего рисунка. С другой стороны, остающийся после
проявления резист должен служит эффективной маской при травлении.
Если иметь в виду, что последующее травление будет также “сухим”,
ионно-плазменным, то наличие в резисте активных групп само по себе
является причиной снижения его стойкости, так как плазма всегда
содержит активные агенты, активирующие функциональные группы.
Резист должен выдержать плазменное проявление и последующее
плазменное травление структуры через окно в нем.
      Одна из возможных идей реализации плазменного проявления
заключается в следующем (рис. 5.1.1). Резист включает в себя легко
летучий мономер А, который введен в массу основного полимера типа
В. Под действием актиничного излучения (УФ-кванты, электроны или
рентгеновское излучение) происходит инициированная прививка А к В
с образованием поперечных сшивок В-А-В. Не подвергнутый действию
излучения мономер А частично удаляется простой откачкой. Зашитый
же полимер обладает существенно меньшей скоростью травления.
Поэтому под действием плазмы происходит преимущественное
удаление как незашитого В, так и А из слоя, не подвергавшегося
                               217