Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 219 стр.

UptoLike

219
ними: CH
3
·
+ R
·
CH
3
-R. Ионная бомбардировка вновь активирует это
соединение: CH
3
-R+ Ar
+
-CH
2
-R + Ar
+
+ Н или CH
3
-R + Ar
+
>CH-R +
Ar
+
+ 2Н. Реакции радикалов приводят к дальнейшему росту пленки: -
CH
2
-R + CH
3
·
→СH
3
-CH
2
-R и т.д., а реакции бирадикалов приводят к
поперечному сшиванию и упрочнению полимерной пленки:
CH
3
-CH-R + CH
3
-CH-R CH
3
-CH-R
CH
3
-CH-R
Аналогичным путем можно получать и фторсодержащие полимерные
пленки. Однако недостатком таких пленок является то, что они
обладают недостаточной чувствительностью к действию актиничного
излучения ввиду большой прочности С-С связей и наличия большого
числа сшивок. Но такие пленки могут быть использованы уже для
защиты готового изделия, причем не обязательно изделия
микроэлектроники. Фторсодержащие антипригарные покрытия
типичный пример использования таких процессов для производства
изделий бытового назначения.
Высокой чувствительностью к действию актиничного излучения
обладают различно вида карбонильные группы >С=О. Их возбуждение
приводит либо к повышению их реакционной способности, либо к
деструкции, диссоциации макромолекулы. Так, при действии на
полиметилметакрилат (электронрезист) потока электронов происходит
его деструкция с образованием низкомолекулярных продуктов и
существенным улучшением растворимости:
O O
[-CH
2
-C-C-O-CH
3
]
n
+ e [-CH
2
-C-]
n
+ n -C-O-CH
3
+ e
O
[-CH
2
-C-C-]
n
+ n -O-CH
3
+ e
O
[-CH
2
-C-C-O-]
n
+ n -CH
3
+ e
Оказалось, что можно получить электронрезист по свойствам
очень близкий к полиметилметакрилату плазменной полимеризацией
мономера метилметакрилата CH
2
=C(CH
3
)-C(=O)-O-CH
3
в среде
ними: CH3·+ R·→CH3-R. Ионная бомбардировка вновь активирует это
соединение: CH3-R+ Ar+→-CH2-R + Ar+ + Н или CH3-R + Ar+→ >CH-R +
Ar+ + 2Н. Реакции радикалов приводят к дальнейшему росту пленки: -
CH2-R + CH3·→СH3-CH2-R и т.д., а реакции бирадикалов приводят к
поперечному сшиванию и упрочнению полимерной пленки:
                     │           │             │
               CH3 -CH-R + CH3-CH-R→ CH3-CH-R
                     │           │             │
                                           CH3-CH-R
                                               │
Аналогичным путем можно получать и фторсодержащие полимерные
пленки. Однако недостатком таких пленок является то, что они
обладают недостаточной чувствительностью к действию актиничного
излучения ввиду большой прочности С-С связей и наличия большого
числа сшивок. Но такие пленки могут быть использованы уже для
защиты готового изделия, причем не обязательно изделия
микроэлектроники. Фторсодержащие антипригарные покрытия –
типичный пример использования таких процессов для производства
изделий бытового назначения.
     Высокой чувствительностью к действию актиничного излучения
обладают различно вида карбонильные группы >С=О. Их возбуждение
приводит либо к повышению их реакционной способности, либо к
деструкции, диссоциации макромолекулы. Так, при действии на
полиметилметакрилат (электронрезист) потока электронов происходит
его деструкция с образованием низкомолекулярных продуктов и
существенным улучшением растворимости:
            O                              O
           │║                     │         ║
     [-CH2-C-C-O-CH3]n + e→ [-CH2-C-]n + n -C-O-CH3 + e


                                    O
                                  │║
                          → [-CH2-C-C-]n + n -O-CH3 + e

                                   O
                                  │║
                          → [-CH2-C-C-O-]n+ n -CH3 + e

     Оказалось, что можно получить электронрезист по свойствам
очень близкий к полиметилметакрилату плазменной полимеризацией
мономера – метилметакрилата CH2=C(CH3)-C(=O)-O-CH3 – в среде


                                     219