Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 221 стр.

неорганических элементов, которые при травлении в соответствующем
газе не могут образовывать летучих соединений. Так для повышения
стойкости к травлению в плазме кислорода могут быть использованы Si,
Ti, Sn, Mg, а для плазмы галогенсодержащих газов – Na, K, Mg. Эти
вещества могут быть введены путем ионной имплантации.
      Второй метод – использование многослойных, в частности,
трехслойных резистов. Идея реализации этого метода приведена на
рис. 5.1.2. Самый верхний слой (5) является резистом. Его толщина и
свойства могут быть оптимизированы независимо от свойств других
слоев. Сразу под ним находится барьерный или как его называют стоп-
слой (4). Стоп-слой должен поглощать экспонирующее излучение,
разделять чувствительный и планаризующий слой (3), также служить
хорошей маской при последующем травлении отверстия в
планаризующем слое. Функции планаризующего слоя – создание
плоской границы над уже сделанными на пластине элементами для
качественной передачи изображения. В качестве материалов стоп-слоя
могут использоваться пленки металлов (Au, Al, Mo, W), SiOx, Si и
некоторые другие. Толщины этого слоя в 2-3 раза меньше, чем слоя
резиста. Поэтому толщины резиста вполне хватает для сквозного
травления стоп-слоя через окна в резисте во фторсодержащей плазме.
Материал планаризирующего слоя - органический полимер, например,
полиимид или полиметилметакрилат. Далее при травлении в плазме
кислорода происходит удаление как резиста, так и сквозное травление
окон в планаризирующем слое. Пунктирная область на рис. 5.1.2
образует сквозное отверстие. Напыление металла в это отверстие
образует вывод затвора транзистора (6).
                                                    5

                                                    4

                                                    3
                             6
                                                    2



                                                    1

                             p-Si


Рис. 5.1.2. Трехслойный резист. Операция формирования затвора МОП
транзистора: 1- подзатворный диэлектрик (SiO2), 2 – поли-
кристаллический кремний, 3 – планаризирующий слой полимера,
4- промежуточный слой, 5 – слой резиста, 6 – контакт затвора
транзистора (металл)
                                 221