Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 220 стр.

аргона. Однако проблема “сухого” процесса получения резистов не
решена в полной мере.
     Уменьшение размеров структур сопровождается появлением
новых проблем, связанных с повышением точности размерного
травления, то есть проблем, включающих операции собственно ионно-
плазменного травления и литографии. Уменьшение размеров физически
требует использования излучений с малой длиной волны, то есть
применения электроннолучевой, рентгеновской литографии либо
литографии в коротковолновом ультрафиолетовом диапазоне.
Рассмотрим недостатки этих методов на примере электроннолучевой
литографии, хотя они являются общими для всех вышеперечисленных
методов.
     При прохождении электронов через слой резиста протекают два
процесса, имеющих важное значение для точного воспроизведения
рисунка. Во-первых, электроны, сталкиваясь с атомами резиста,
рассеиваются, отклоняются от направления исходного пучка. Пучок
расширяется. Расширяется и область, в которой резист претерпевает
нужные физико-химические изменения. Теория показывает, что
исходный радиус пучка получает на границе раздела резист-пластина
приращение, пропорциональное толщине резиста в степени 3/2. Во-
вторых, электроны, достигшие пластины, отражаются от нее снова в
тело резиста, приводя к дальнейшему расхождению радиуса пучка и
экспонированной области относительно исходного размера. Это эффект
получил название эффекта близости. Принципиально, расхождение
можно уменьшить либо путем увеличения энергии электронов, либо
уменьшением толщины резиста. И то и другое имеет свои ограничения.
Во-первых, чувствительность резиста зависит от энергии электронов
экстремально. В области энергий электронов, используемых для
получения субмикронных размеров, она уменьшается с ростом энергии.
Во-вторых, чем больше энергия электронов, тем больше вероятность
образования радиационных дефектов. Уменьшение толщины резиста
ограничено выполнением им защитных функций, так как при ионном
плазменном травлении структуры через окно в нем сам он неизбежно
травится. Для типичных органических резистов и получении
субмикронных размеров значение толщины не может быть меньше 0.2-
0.5 мкм.
     Один из методов решения этой задачи – повысить стойкость
резиста к травлению после его проявления. Например, можно вводить в
резист добавки, которые при термообработке, УФ - облучении или
плазменном действии, но в среде благородных газов приводят к
сшиванию полимера, как это было уже описано для процесса
плазменного проявления. Другой способ – введение в состав резиста
                               220