Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 235 стр.

плазменное проявление фоторезиста – фоточувствительного полимера,
изменяющего свои свойства под действием внешнего облучения.
Травление фоторезиста проводят в кислородной плазме в установках
плазмохимического или реактивно-ионного травления, при этом
основным механизмом процесса является окислительная деструкция
под действием атомов кислорода.
     В ряде случаев обработка в низкотемпературной плазме позволяет
модифицировать свойства поверхности (и тонкого приповерхностного
слоя) полимера без изменения объемных свойств материала в целом.
Этот процесс получил название плазменной модификации и реализуется
в направлениях активации, функциализации и планаризации
поверхности.

                  5.6. Контрольные вопросы

1.  Охарактеризуйте области применения полимерных материалов в
    технологии микроэлектроники.
2. Какие требования предъявляются к органическим фоторезистам?
3. Что такое многослойные резисты?
4. Какие соединения являются продуктами травления полимеров в
    кислородной плазме?
5. Каков механизм изменения скорости травления полимеров при
    изменении тока (мощности) разряда?
6. Каков механизм изменения скорости травления полимеров при
    изменении давлении газа?
7. Каков механизм влияния добавок тетрафторметана к кислороду на
    скорость травления?
8. В чем заключается смысл понятия «плазменная модификация
    поверхности»?
9. Какие цели и задачи ставит плазменная активация поверхности
    полимерных материалов? Охарактеризуйте механизм плазменной
    активации в кислород – и азотсодержащих газах.
10. Охарактеризуйте механизм плазменной активации в кислород – и
    азотсодержащих газах.




                               235