Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 236 стр.

   ГЛАВА 6. МЕТОДЫ КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ ПЛАЗМЫ,
      ПЛАЗМОХИМИЧЕСКИХ И ИОННО-ПЛАЗМЕННЫХ
                    ПРОЦЕССОВ

                     6.1. Общие положения

     Сложность и многообразие физико-химических процессов,
которые имеют место в плазмохимических системах, приводит к тому,
что поддержание на одном и том же уровне внешних параметров
плазмы, таких как состав, давление и расход плазмообразующего газа,
электрическая мощность и др. еще не достаточно для получения
воспроизводимых с нужной точностью результатов воздействия плазмы
на обрабатываемую поверхность. Причины этого явления могут быть
самыми разнообразными. Предположим, что ХАЧ, обеспечивающие
протекание целевого процесса, образуются в объеме реактора при
действии электронов на молекулы плазмообразующего газа, а гибнут
гетерогенно на стенках реактора, в том числе и в целевой реакции,
например, на поверхности пластин кремния. Стационарная
концентрация ХАЧ в объеме, определяющая их поток на
обрабатываемую поверхность, а значит и скорость процесса, есть
результат баланса скорости образования и скорости гибели.
Кинетические коэффициенты, определяющие скорость гибели, в
сильной степени зависят от состояния поверхности, которое под
действием реакций может меняться. В силу этого концентрация ХАЧ, а
следовательно, и скорость реакции, может быть непостоянной. Поэтому
нет никакой гарантии, что при обработке каждой следующей партии
изделий в течение времени, определенного по контрольной партии по
положительному результату, мы получим воспроизводимые параметры.
Если ХАЧ влияют и на баланс заряженных частиц, то изменение в
концентрации     ХАЧ     приведет    к    изменениям    приведенной
напряженности электрического поля E N , что в свою очередь изменит
скорости процессов с участием электронов, концентрации заряженных
частиц и т.д. Внешне это будет проявляться в нестабильности
параметров разряда, в неустойчивости горения разряда. К подобным
явлениям могут приводить и продукты взаимодействия плазмы с
обрабатываемой поверхностью. Недостаточный контроль за ходом
процесса может свести на нет все преимущества плазмо - и ионно-
химических процессов.
     В самом общем виде проблему контроля и регулирования можно
рассматривать следующим образом. Как показано в разделе,
посвященном общим свойствам плазмы, первичными процессами,
приводящими в конечном итоге к протеканию целевой реакции,
                               236