ВУЗ:
Составители:
4
ВВЕДЕНИЕ
Микроэлектроника - наиболее бурно развивающаяся область
электронной техники, катализатор научно - технического прогресса
всех отраслей народного хозяйства. Современная техника предъявля-
ет очень высокие требования к интегральным микросхемам (ИМС) по
надежности, быстродействию, информационной емкости и другим
параметрам. Поэтому основной тенденцией развития микроэлектро-
ники является непрерывное повышение степени интеграции и инфор-
мационной емкости интегральных микросхем с одновременным
уменьшением стоимости бита информации. Это достигается за счет
перехода от больших интегральных схем к сверхбольшим и ультра-
большим, уменьшения размеров элементов микросхем. Если харак-
терный размер элемента больших интегральных схем (БИС) составля-
ет несколько микрон, то в ультрабольших интегральных схемах
(УБИС) размер элементов доведен до долей микрона. Уже разработа-
ны технологии производства микросхем с размерами элементов
0,13 мкм и 0,09 мкм.
Жидкостные процессы технологической обработки материалов в
процессе создания микроструктур в принципе не могут обеспечить
изготовления ИС с субмикронными размерами, поэтому начиная с
семидесятых годов во всем мире ведутся поиски альтернативных тех-
нологических вариантов на базе так называемых “сухих” процессов.
Технологии с использованием низкотемпературной неравновесной га-
зоразрядной плазмы в этом плане оказались наиболее перспективны-
ми. Первым плазменным процессом, используемым в промышленном
производстве с 1968 г, было удаление фоторезиста в кислородной
плазме. В этот период недостаточное понимание сущности плазмохи-
мических процессов привело к ряду неудач и отказу от их использо-
вания вплоть до 1972-1973 годов. Примерно в эти же годы начал про-
являться интерес к плазменным методам получения пленок, в первую
очередь диоксида кремния, и травлению неорганических металлов -
кремния, нитрида кремния, диоксида кремния, алюминия и других. К
настоящему времени разработаны и внедрены в производство изделий
электронной техники целый ряд технологических процессов с исполь-
зованием низкотемпературной плазмы - это обработка и удаление ор-
ганических резистов, плазменное травление, плазменное получение
различных пленок и слоев. Сравнение плазменных технологических
процессов с жидкостными позволяет выделить следующие их пре-
имущества:
ВВЕДЕНИЕ Микроэлектроника - наиболее бурно развивающаяся область электронной техники, катализатор научно - технического прогресса всех отраслей народного хозяйства. Современная техника предъявля- ет очень высокие требования к интегральным микросхемам (ИМС) по надежности, быстродействию, информационной емкости и другим параметрам. Поэтому основной тенденцией развития микроэлектро- ники является непрерывное повышение степени интеграции и инфор- мационной емкости интегральных микросхем с одновременным уменьшением стоимости бита информации. Это достигается за счет перехода от больших интегральных схем к сверхбольшим и ультра- большим, уменьшения размеров элементов микросхем. Если харак- терный размер элемента больших интегральных схем (БИС) составля- ет несколько микрон, то в ультрабольших интегральных схемах (УБИС) размер элементов доведен до долей микрона. Уже разработа- ны технологии производства микросхем с размерами элементов 0,13 мкм и 0,09 мкм. Жидкостные процессы технологической обработки материалов в процессе создания микроструктур в принципе не могут обеспечить изготовления ИС с субмикронными размерами, поэтому начиная с семидесятых годов во всем мире ведутся поиски альтернативных тех- нологических вариантов на базе так называемых “сухих” процессов. Технологии с использованием низкотемпературной неравновесной га- зоразрядной плазмы в этом плане оказались наиболее перспективны- ми. Первым плазменным процессом, используемым в промышленном производстве с 1968 г, было удаление фоторезиста в кислородной плазме. В этот период недостаточное понимание сущности плазмохи- мических процессов привело к ряду неудач и отказу от их использо- вания вплоть до 1972-1973 годов. Примерно в эти же годы начал про- являться интерес к плазменным методам получения пленок, в первую очередь диоксида кремния, и травлению неорганических металлов - кремния, нитрида кремния, диоксида кремния, алюминия и других. К настоящему времени разработаны и внедрены в производство изделий электронной техники целый ряд технологических процессов с исполь- зованием низкотемпературной плазмы - это обработка и удаление ор- ганических резистов, плазменное травление, плазменное получение различных пленок и слоев. Сравнение плазменных технологических процессов с жидкостными позволяет выделить следующие их пре- имущества: 4
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- …
- следующая ›
- последняя »