ВУЗ:
Составители:
42
( )( )
β
β
211
21
++
+
≈
+ e
a
bb
DD . (1.84)
Уравнение (1.84) описывает ускорение диффузии электронов от ам-
биполярной до свободной при росте относительной концентрации от-
рицательных ионов от 0 до ∞.
Рассмотрим теперь плоскую непроводящую стенку, находя-
щуюся в контакте с зоной плазмы. В качестве этой стенки может вы-
ступать как внутренняя поверхность рабочей камеры плазмохимиче-
ского реактора, так и поверхность любого материала, помещенного в
плазму. Большая подвижность электронов приводит к тому, что они
первыми достигают поверхности и создают на ней избыточный отри-
цательный заряд, который тормозит электроны, ускоряет положи-
тельные ионы и выравнивает потоки заряженных частиц. Вблизи по-
верхности возникает двойной электрический слой толщиной
d
, в слу-
чае большой плоской поверхности этот слой также будет плоским.
При этом можно считать, что хаотический поток положительных ио-
нов, попадающих на границу слоя, попадет также и на поверхность. В
то же время из падающего на границу слоя хаотического потока элек-
тронов на поверхность попадет лишь та часть электронов, энергия ко-
торых достаточна для преодоления тормозящей разности потенциалов
в слое. Обозначив потенциал стенки относительно плазмы как
f
U и
принимая во внимание, что в стационарном состоянии потоки на
стенку положительно и отрицательно заряженных частиц одинаковы,
для случая
β
= 0 (отрицательные ионы отсутствуют) можно записать:
−=⇒Γ=Γ
+++
e
f
eee
kT
eU
nn exp
4
1
4
1
υυ . (1.85)
Так как в объеме плазмы (за границей слоя) выполняется условие ква-
зинейтральности
e
nn
=
+
, будет справедливо следующее соотношение:
−=
+
e
f
e
kT
eU
expυυ . (1.86)
Выражая скорости движения частиц через скорости хаотического те-
плового движения как
(
)
2/1
3 mkT=υ (что для ионов справедливо
лишь в области относительно высоких давлений, при
1 + 2β
D ≈ Da . (1.84)
1 + (b+ be )(1 + 2β )
Уравнение (1.84) описывает ускорение диффузии электронов от ам-
биполярной до свободной при росте относительной концентрации от-
рицательных ионов от 0 до ∞.
Рассмотрим теперь плоскую непроводящую стенку, находя-
щуюся в контакте с зоной плазмы. В качестве этой стенки может вы-
ступать как внутренняя поверхность рабочей камеры плазмохимиче-
ского реактора, так и поверхность любого материала, помещенного в
плазму. Большая подвижность электронов приводит к тому, что они
первыми достигают поверхности и создают на ней избыточный отри-
цательный заряд, который тормозит электроны, ускоряет положи-
тельные ионы и выравнивает потоки заряженных частиц. Вблизи по-
верхности возникает двойной электрический слой толщиной d , в слу-
чае большой плоской поверхности этот слой также будет плоским.
При этом можно считать, что хаотический поток положительных ио-
нов, попадающих на границу слоя, попадет также и на поверхность. В
то же время из падающего на границу слоя хаотического потока элек-
тронов на поверхность попадет лишь та часть электронов, энергия ко-
торых достаточна для преодоления тормозящей разности потенциалов
в слое. Обозначив потенциал стенки относительно плазмы как U f и
принимая во внимание, что в стационарном состоянии потоки на
стенку положительно и отрицательно заряженных частиц одинаковы,
для случая β = 0 (отрицательные ионы отсутствуют) можно записать:
1 1 eU f
Γ+ = Γe ⇒ n+ υ + = ne υ e exp − . (1.85)
4 4 kTe
Так как в объеме плазмы (за границей слоя) выполняется условие ква-
зинейтральности n+ = ne , будет справедливо следующее соотношение:
eU f
υ + = υ e exp − . (1.86)
kTe
Выражая скорости движения частиц через скорости хаотического те-
плового движения как υ = (3kT m )1/ 2 (что для ионов справедливо
лишь в области относительно высоких давлений, при
42
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 40
- 41
- 42
- 43
- 44
- …
- следующая ›
- последняя »
