Способы исследования поверхности методами атомно-силовой и электронной микроскопии. Нагорнов Ю.С - 20 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

включающий в себя операции фотолитографии, ионной имплантации,

химического и плазменного травления [2].

1.3 Техника измерений туннельной микроскопии

Исторически первым в семействе зондовых микроскопов появился

сканирующий туннельный микроскоп (СТМ). Принцип работы СТМ

основан на явлении туннелирования электронов через узкий

потенциальный барьер между металлическим зондом и проводящим

образцом во внешнем электрическом поле.

Рис.1.11. Схема туннелирования электронов через потенциальный барьер в туннельном

микроскопе

В СТМ зонд подводится к поверхности образца на расстояния в

несколько ангстрем (рис.1.11). При этом образуется туннельно-прозрачный

потенциальный барьер, величина которого определяется, в основном,

значениями работы выхода электронов из материала зонда φ

и образца φ

При качественном рассмотрении барьер можно считать прямоугольным с

эффективной высотой, равной средней работе выхода материалов:

Как известно из квантовой механики, вероятность туннелирования

электрона (коэффициент прохождения) через одномерный барьер

прямоугольной формы равна