ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
21
где A
0
- амплитуда волновой функции электрона, движущегося к
барьеру; A
t
- амплитуда волновой функции электрона, прошедшего сквозь
барьер; k - константа затухания волновой функции в области,
соответствующей потенциальному барьеру; ∆Z - ширина барьера. Для
туннельного контакта двух металлов константу затухания можно
представить в виде
где m - масса электрона, φ* - средняя работа выхода электрона, h –
постоянная Планка. При приложении к туннельному контакту разности
потенциалов V между зондом и образцом появляется туннельный ток
(рис.1.12).
Рис.1.12. Энергетическая диаграмма туннельного контакта двух металлов
В процессе туннелирования участвуют, в основном, электроны с
энергией в окрестности уровня Ферми E
F
. В случае контакта двух
металлов выражение для плотности туннельного тока (в одномерном
приближении)
(1)
где параметры j
0
и А задаются следующими выражениями:
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 19
- 20
- 21
- 22
- 23
- …
- следующая ›
- последняя »
