Способы исследования поверхности методами атомно-силовой и электронной микроскопии. Нагорнов Ю.С - 22 стр.

UptoLike

22
При условии малости напряжения смещения ( eV< φ ), выражение
для плотности тока можно представить в более простом виде. Линеаризуя
вторую экспоненту в выражении (1) по параметру eV , получаем
Наконец, пренебрегая членом eV по сравнению с φ* , выражение для
плотности тока можно записать следующим образом:
Поскольку экспоненциальная зависимость очень сильная, то для
оценок и качественных рассуждений часто пользуются упрощенной
формулой
(2)
в которой величина j
0
(V) считается независящей от изменения
расстояния зонд-образец. Для типичных значений работы выхода (φ ~ 4 эВ)
значение константы затухания k = 2 Å
-1
, так что при изменении ∆Z на ~ 1 Å
величина тока меняется на порядок. Реальный туннельный контакт в СТМ
не является одномерным и имеет более сложную геометрию, однако
основные черты туннелирования, а именно экспоненциальная зависимость
тока от расстояния зонд-образец, сохраняются также и в более сложных
моделях, что подтверждается экспериментально.
Для больших напряжений смещения (eV>φ*) из выражения (1)
получается хорошо известная формула Фаулера-Нордгейма для полевой
эмиссии электронов в вакуум: