ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
Рис. 1.4
lgd—lgt с расчетом показателя степени в кинетическом
уравнении
d =kt
n
и выводом о характере процесса.
5. Описание методики и результатов определения толщины
термического окисла.
6. Выводы по работе.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. Парфенов О.Д. — Технология микросхем. — М.: Высш.
школа, 1986. - 320 с.
2. Блинов И.Г., Кожитов Л.В. — Оборудование
полупроводникового производства. — М.:
Машиностроение, 1986. — 264 с.
Пластины размещают на стальной пружинной ленте и
прижимают резиновой лентой. Совместно передвигаясь, система
(пружинной лентой вниз) приобретает определенный радиус
кривизны. В этом месте и происходит ломка пластин на крис-
таллы.
Однако наиболее производительной является ломка на
стальной полусфере. Пластина с кристаллами обязательно-
квадратной формы и определенного размера размещается на
полусфере
соответствующего диаметра и прижимается к ней
гибкой резиновой мембраной (например, откачивая воздух из
зазора сфера—мембрана). Разламывание производится
одновременно в двух направлениях. Но этот метод обладает
существенным недостатком: для каждого типоразмера кристалла
требуется полусфера только определенного диаметра.
Для более толстых (>400 мкм) пластин полупроводниковых
материалов для разделения используются способы резки
алмазным диском
или ультразвуковым методом. Резка алмазным
диском отличается высокой скоростью, высокой точностью
резания, хорошей геометрией реза (без сколов), не требует
специальной ориентации пластин по кристаллографическим
плоскостям и др. преимуществами.
Ультразвуковая резка осуществляется специальным ин-
струментом с размером ячеек равным размеру кристалла. Резка
осуществляется частицами образива, взвешенными в жидкости
(масле) и совершающими
колебательные движения частотой ≥
15 кГц по направлению к пластине. Колебания рабочей среды
обеспечиваются ультразвуковой установкой. Ультразвуковая
резка используется, в основном, для разделения круглых или
фигурных кристаллов, для образования выступов и углублений в
полупроводниковых материалах.
После разделения производится отбраковка негодных (ме-
ченых краской) кристаллов вручную или на полуавтоматической
установке.
Присоединение кристаллов
к основанию корпуса или на
подложку модуля ИМС осуществляется пайкой эвтектическими
припоями, приклеиванием токопроводящими и
нетокопроводящими клеями и с помощью стекол. При выборе
способа крепления кристаллов принимают во внимание
17 40
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 15
- 16
- 17
- 18
- 19
- …
- следующая ›
- последняя »
