ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
2. ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА
ФОТОЛИТОГРАФИИ.
2.1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Изучение технологического процесса фотолитографии и
получения навыков работы на технологическом оборудовании.
2.2. Общая характеристика процесса фотолитографии.
Пользуясь литературой [1, 2,] необходимо ознакомиться с
основами фотолитографии. Литографией называется процесс
создания на поверхности подложки рельефа вспомогательной
или основной маски (защитного покрытия). Маски из
резистивных материалов используется для формирования
рисунка рабочих областей или основных масочных слоев
(например, в слое SiO
2
на Si). Литографический процесс
включает в себя следующие основные операции: нанесение на
подложку вещества чувствительного к излучению — резиста;
экспонирование резиста путем
воздействия на него актиничным
излучением; проявление
скрытого изображения обработкой в
проявителях и получение защитного рельефа.
Актиничное излучение — излучение, энергия кванта
которого достаточна для воздействия на светочувствительный
состав
, что вызывает фотохимические реакции и изменение
физических и химических свойств облученных областей
покрытия.
2.2.1. Виды литографии
В зависимости от вида облучения: ультрафиолетового,
электронного, рентгеновского и ионного, литографию делят на
фото-, электроно-, рентгено- и ионолитографию, соответственно
(табл. 2.1). Для различных видов литографии разработаны
специальные чувствительные к актиничному облучению
вещества: фото-, электроно-, рентгено-резисты. Известны два
типа фотолитографии - контактная и проекционная. Перенос
Операция разделения, как правило, состоит из двух основ-
ных частей: нанесения рисок (скрайбирование) и ломки.
Скрайбирование осуществляется механическими, лазерными
и электронно-лучевыми методами. Наибольшее распространение
получили методы скрайбирования алмазным резцом и лазерным
лучом. Алмазным скрайбером на пластины наносят риски
(шириной 20 ... 40 мкм, глубиной 10 ... 15 мкм) со стороны
структур в двух взаимно перпендикулярных
направлениях по
границам между отдельными ИМС. Для скрайбирования
используются установки типа «Алмаз-М». Основной недостаток
скрайбирования — неровный (рваный) край реза, который
приводит при ломке к сколам и другим дефектам этого метода
разделения. Преимущества метода механического
скрайбирования:
- малая ширина риски, что позволяет более эффективно
использовать площадь пластины полупроводникового мате-
риала,
- высокая
производительность (более 10 пластин Ǿ 76 мм
в ч),
- возможность быстрой переналадки оборудования.
Более перспективным является метод лазерного скрайби-
рования. Риски (более широкие, чем при механическом
скрайбировании) при лазерном скрайбировании получаются с
гладкими ровными краями, поэтому качество последующей
ломки более высокое.
После скрайбирования осуществляется ломка пластин на
кристаллы (подложек на модули). Разламывание
производят
валиком на гибком основании, гибкой лентой или на сфери-
ческой опоре. При ломке валиком пластину помещают рисками
вниз на гибкую (резиновую) основу и прокатывают по ней
стальным валиком или резиновым валиком (катком) и двух на-
правлениях, параллельных линиям реза. При прокатывании
наблюдается иногда произвольная ломка (не по рискам) и
сколы,
что объясняется несовпадением направления прокатки с
линиями реза. Указанных недостатков лишен способ
разламывания пластин с помощью гибкой ленты. На обратную
сторону пластины наносят быстро высыхающую эмульсию,
которая образуя пленку, удерживает кристаллы после ломки.
18 39
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 16
- 17
- 18
- 19
- 20
- …
- следующая ›
- последняя »
