ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
1. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ПРОЦЕСС
ТЕРМИЧЕСКОГО ОКИСЛЕНИЯ ПОВЕРХНОСТИ
КРЕМНЕВЫХ ПОДЛОЖЕК
1.1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ
1. Изучение метода термического окисления поверхности
кремниевых подложек.
2. Освоение методики определения толщины получаемого
на кремнии оксидного слоя.
1.2. ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ
1.2.1. Применение оксидных пленок на кремнии
в технологии интегральных схем
В планарной технологии интегральных схем широко при-
меняются оксидные пленки SiО
2
. Защита поверхности кремния
при помощи SiO
2
имеет определенные преимущества по
сравнению с покрытиями из других диэлектрических мате-
риалов, таких как Si
3
N
4
, SiO.
Диоксид кремния SiO
2
— диэлектрик универсального при-
менения. В нем удачно сочетаются высокая химическая стой-
кость в окислительной среде, склонность к стеклообразованию,
способствующая формированию беспористых плёнок,
удовлетворительные электрофизические свойства. Крайне
важно, что SiO
2
легко растворяется в плавиковой кислоте HF,
обеспечивая тем самым возможность фотогравировки
планарных структур. В то же время по отношению к смеси HF +
НNОз пленка SiO
2
практически стабильна, что позволяет
использовать ее в качестве маски при селективном травлении
кремния.
Одной из важнейших функций пленки диоксида кремния
является маскирование поверхности кремниевой подложки от
попадания на нее атомов примеси, что позволяет осуществлять
диффузию только в те области, которые свободны от слоя SiO
2
.
Защитные свойства слоя SiO
2
, препятствующего проникновению
примеси, связаны с тем, что бор или фосфор, взаимодействуя
при температурах диффузии с SiO
2
, образуют на его
Для студентов специальности 200100, 200800, 220500 всех форм
обучения
Ответственный за выпуск Наумченко А.С.
Редактор Наумченко А.С.
Корректоры
Сдано в набор 25.12.01 г. Подписано к печати 15.01.02г.
Формат 60х84 1/16. Бумага оберточная. Гарнитура литературная.
Высокая печать. Усл.- п.л. – 4,0. Уч.- изд. л. – 3,5
Заказ № Тир. 50 Экз.
3 54
