Технологические процессы микроэлектроники. Наумченко А.С - 5 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

1.2.2. Методы термического окисления кремния
Методы формирования оксидных слоев на кремнии можно
разделить на две основных группы. К первой группе относятся
методы, в основе которых лежит нанесение окислов извне, когда
кремний выполняет роль инертной подложки, ко второй —
методы прямого окисления кремния, когда материал подложки
является одним из компонентов химического взаимодействия.
К методам создания оксидных пленок на
кремнии
нанесением материала извне относятся термическое и катодное
распыление кремния в разреженной кислородной атмосфере,
катодное распыление диоксида кремния, образование оксидной
пленки при химическом взаимодействии в газовой фазе (пиролиз
силана или кремнийорганических соединений в окислительной
атмосфере, гидролиз галогенидов кремния).
К методам собственно окисления кремния относятся
различные варианты термического окисления (обработка
поверхности
кремния в окислительной атмосфере при
повышенных температурах), электрохимическое (анодное)
оксидирование, а также окисление в кислородной плазме
тлеющего разряда, при относительно низких температурах
(порядка 300 . . . 400°С).
Термическое окисление кремния является одним из
наиболее технологичных и широко применяемых на практике
методов. Этот процесс проводят в различных окислительных
средах: увлажненном кислороде, водяном паре при
атмосферном
и повышенном (до 500 атм.) давлении. Часто используют
комбинированные режимы окисления. Иногда для ускорения
термического окисления прибегают к использованию
активаторов.
Как правило, термическое окисление кремния проводят в
проточных системах, но иногда используют и оксидирование в
герметичных реакторах.
Метод термического окисления не лишен и некоторых
недостатков. Так, при создании толстых (2 ... 3 мкм) изолирую
-
щих пленок (при изготовлении интегральной схемы с
диэлектрической изоляцией) этот метод неприемлем, во-первых,
поскольку уже при толщине окисла порядка 1,5 мкм скорость
2. Измерить адгезию сварных соединений.
3.4. Описание оборудования и материалов
1. Установка сварки ТО – 117,
2. Устройство измерения адгезии сварного соединения,
3. Медный провод Ǿ 120 мкм,
4. Подложки с медным покрытием.
3.5. Содержание отчета
1. Цель работы
2. Результат эксперимента
3. Выводы по работе
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ
1. Бер А. Ю., Минскер Ф. Е. Сборка полупроводниковых
приборов и интегральных микросхем. — М.: Высш. школа, 1981.
— 284 с.
2. Парфенов О. Д. Технология микросхем: Учебное пособие
для 'вузов. — М.: Высш. школа, 1985. — 255 с.
3. Колобов Н. А. Основы технологии электронных
приборов:
Учебное пособие для вузов. — М.: Высш. школа,
1980. — 288 с.
5 52

Страницы