Технологические процессы микроэлектроники. Наумченко А.С - 7 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

тонким слоем оксида). По мере роста пленки все большую роль
начинает играть диффузия окислителя через окисную пленку к
границе раздела Si-SiO
2
. Поэтому на участке 2 линейная
зависимость сменяется линейно - параболической
d
2
+сd = kt (с -
константа), которая определяется конкуренцией поверхностной
реакции и диффузии. Относительный вклад этих процессов на
участке 2 определяется коэффициентом «с» (возрастание c со-
ответствует увеличению вклада поверхностной реакции). Пре-
имущественно диффузионный этап процесса оксидирования
осуществляется на участке 3, для которого кинетическая кривая
отражается параболическим законом
d'
2
= kt. Этот закон,
вытекающий из линейно - параболического при
с = 0 отвечает
случаю отсутствия вклада в кинетику процесса поверхностной
реакции. При дальнейшем росте пленки диффузия окислителя
через слой оксида затрудняется и скорость роста начинает
убывать заметнее, чем на предыдущих участках. На участке 4
кинетическая кривая приближается к некоторому предельному
значению d
макс
, характерному для данной температуры, и
параболический закон сменяется параболически -
логарифмическим
d =k
1
lg (1+c
1
t)+c
2
t
1/2
, где к
1
, с
1
,с
2
-
константы), а затем логарифмическим законом d= к
1
lg(1+с
1
t) при
с
2
=0.
Таким образом, термическое окисление кремния в техно-
логически приемлемых интервалах температуры и времени (в
проточных системах) приводит к образованию пленок
предельной толщины. Так, при температуре порядка 1200°С
невозможно получить термический окисел на кремнии
толщиной более 1,5 мкм.
Все перечисленные зависимости (кроме чисто
логарифмической) можно объединить степенной функцией вида
d=kt
n
. В самом деле, при п = 1 получается линейная зависимость
d=кt; при n
= 1/2 — параболическая d =kt
1/2
или d
2
=k
1
t при 1/2
< п< 1 — линейно-параболическая. Если 1/2, то получается
параболически – логарифмическая зависимость, причем, чем
меньше показатель степени, тем больше вклад
логарифмического закона. В пределе при
п = 0 получается d = k
= d
макс
, т.е. прямая, параллельная оси абсцисс и определяющая
предельную толщину окисла.
Свойства оксидных пленок на кремнии, полученных мето-
В случае использования метода перевернутого кристалла
монтаж ИМС производится па печатную плату (подложку) с
контактными площадками с помощью шариковых выводов
ИМС.
Рис.3.6,б
Во втором случае осуществляется монтаж ИМС с шарико-
выми выводами на гибкий носитель с балочными «паучковыми»
выводами.
Шариковые выводы формируются на заключительном этапе
техпроцесса изготовления ИМС. Структура шарикового вывода
показана на рис. 3.7,
Рис.3.7
7 50

Страницы