Технологические процессы микроэлектроники. Наумченко А.С - 8 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

дом термического окисления, варьируются в довольно широких
пределах в зависимости от атмосферы окисления. Экспе-
риментально установлено, что воспроизводимость результатов
для сухого и влажного кислорода от одного эксперимента к
другому составляет ±4%; при окислении в водяных парах
воспроизводимость хуже. Установлено также, что пленки SiO
2
,
полученные во влажном кислороде, почти не имеют дефектов, в
то время как в пленках, полученных в атмосфере водяного пара,
их много. Кроме того, пленки, полученные в атмосфере
кислорода, более чувствительны к очистке поверхности перед
окислением. Коэффициент преломления имеет самые низкие
значения у пленок, полученных в парах воды, так как плотность
пленок, полученных в парах воды, несколько ниже, чем в сухом
кислороде. В табл. 1.1 приведены некоторые характеристики
стеклообразных окисных пленок на кремний, полученных
методом термического окисления в различных средах.
Таблица 1.1
Свойства оксидных пленок на кремниях, полученных
методом термического окисления в различных средах.
Атмосфера
окисления
Плотность
г/см
3
Показатель
преломления
Удельное
сопротивление
Ом см
Диэлектрическ
прочность, В/см
Водяной пар
Сухой
кислород
Влажный
кислород
Кварц (для
сравнения)
2.00…2.20
2.24…2.27
2.18…2.21
2.20
1.45…1.46
1.460…1.466
1.435…1.458
1.458…1.460
10
15
…10
7
3 · 10
15
…2·10
16
10
15
10
15
…10
16
(7…9)·10
6
2·10
6
(4...5)10
6
(1…5)10
6
Следует также отметить экспериментально доказанную
аддитивность общего процесса окисления, т.е. возможность
применения комбинаций метода термического окисления в
различных средах и использование прерываний процесса
Al
Al
Al
Au
100
100
30
50
Au на ситалле
Si полированный
Si металлизированный
Au на ситалле
110
125
120
105
0.2
150
150
60
80
Соединение пайкой в настоящее время начали широко ис-
пользовать при монтаже ИМС с шариковыми (столбиковыми)
выводами и в толстопленочных ИМС. Переход на жесткие
(беспроволочные) выводы при монтаже ИМС обусловлен
необходимостью повышения надежности изделий
микроэлектроники. В настоящее время используются два
основных метода присоединения с помощью шариковых
выводов: метод перевернутого кристалла (рис
. 3.6.б) и метод
монтажа балочный проводник шариковый вывод (рис. 3.6,а).
На рис. 3.6 приведены схемы монтажа ИМС с шариковыми
выводами, где «а»: 1 — рабочий столик,
2 — кристалл ИМС, 3 —
гибкое основание,
4 — шариковый вывод ИМС, 5 — балочный
вывод «паучка»,
6 --- термод; «б»: 1 — рабочий столик с
подогревом;
2 — подложка, 3 — контактная площадка, 4 —
шариковый вывод,
5 кристалл ИМС.
8 49

Страницы