Технологические процессы микроэлектроники. Наумченко А.С - 4 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

поверхности боросиликатное или фосфорно-силикатное стекла.
Состав стекла определяется количеством атомов бора или
фосфора, заместивших в SiO
2
атомы кремния. Имеется резкая
граница силикатного стекла и оксида кремния, которая
постепенно смещается к поверхности кремниевой подложки.
Поэтому диффузия бора или фосфора в кремний будет
происходить лишь тогда, когда боро - или фосфорно-
силикатное стекло достигает границы кремния.
Другой важной функцией, которую выполняют слои SiO
2
на
поверхности кремниевой подложки, является защита р – n –
переходов, активных и пассивных элементов интегральной
схемы. В результате этого стабилизируются их параметры,
уменьшается влияние поверхности кремния на электрические
характеристики элементов схемы.
Кроме перечисленных применений, слои SiO
2
служат изо-
лирующим основанием для контактных площадок и проводящих
коммутирующих металлических соединений.
Качество получаемых на кремнии пленок SiO
2
определяется
их структурой. Наличие микродефектов структуры пленки часто
является причиной технологического брака. Различают три вида
микродефектов структуры: 1) поры, образующиеся при
несовершенном росте кристалла; 2) границы кристаллов,
возникающие благодаря склонности стеклообразной пленки к
рекристаллизации; 3) микротрещины, формирующиеся из-за
несоответствия коэффициентов термического расширения
подложки и пленки. Дефекты последних двух видов могут быть
устранены
подбором технологического режима. Причиной же
порообразования могут служить загрязнения и структурные
дефекты на исходной поверхности кремния. Часто поры могут
образовываться за счет окклюзии (захвата) газов, а также при
слиянии точечных дефектов (вакансий) в кластеры. Наличие пор
в значительной мере осложняет использование оксидной пленки
в качестве маскирующего покрытия (поскольку поры являются
каналами
для диффузии) и в качестве изоляции (вследствие
возможных замыканий алюминиевой разводки на микросхему в
результате снижение порогового напряжения пробоя). Как
пассивирующее покрытия пленка также непригодна, потому что
при этом не обеспечивается герметичность структуры.
Наумченко Александр Серафимович,
Светличный Александр Михайлович
РУКОВОДСТВО К ЛАБОРАТОРНЫМ РАБОТАМ ПО
КУРСУ
«ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ
МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ»
4 53

Страницы