Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 24 стр.

         4. Подготовиться к ответам на контрольные вопросы.
      Работа в лаборатории:
Конкретное задание в данной работе форматируется преподавателем, который в
праве потребовать выполнения всего объема работы или ее отдельных разделов,
включая исследование тех или иных процессов либо объектов. Практически
возможно проведение следующих заданий:
         1. Определение глубины нарушенного слоя полупроводниковой пластины.
         2. Выявление      кристаллографической      ориентации     пластины    и
            количественное определение микродефектов структуры.
         3. Исследование влияния режима процесса на скорость травления и
            качества поверхности.
         4. Изучение влияния типов загрязнения подложки на адгезионные
            характеристики наносимых на них тонких металлических пленок.
Порядок выполнения работы
1. Определение глубины нарушенного слоя полупроводниковой пластины.
      Толщину нарушенного слоя монокристалла можно оценить по изменению
скорости травления при постадийном растворении поверхностного слоя материала.
Как было сказано ранее, дефектные кристаллы травятся быстрее, чем совершенный
монокристалл, поэтому, определяя скорость травления при послойном удалении
материала подложки, можно зафиксировать момент, когда она станет постоянной
величиной. Этот факт будет указывать на полное снятие нарушенного слоя.
Скорость травления проще всего определять по уменьшению массы образца,
поэтому следует выполнять по следующей схеме:
   1.1. Очистить поверхность образца последовательно в жирном растворителе
         (бензол, толуол, орто-ксилол или т.п.), а затем в ацетоне, используя при
         этом протирочную ветошь (вату) и пинцет, не допуская касаний
         поверхности пластины руками. Чистые образцы переносить на
         фильтровальной бумаге.
   1.2. Высушить образец на воздухе или в сушильном шкафу до полного
         высыхания образца. Поверхность чистой сухой пластины должна быть без
         разводов и следов от остатков растворителей (в дальнейшем травящих
         растворов).
   1.3. Взвесить образец на аналитических весах. Результат замера занести в
         таблицу формы 1.
   1.4. Не касаясь образца руками перенести образец полупроводниковой
         пластины в травитель (по заданию преподавателя) и обрабатывать в
         течение 30 секунд.
   1.5. По истечении указанного времени промыть образец в дистиллированной
         воде и высушить в сушильном шкафу при температуре 80-90 0С.
   1.6. Повторять пункты 1.3 – 1.5 до тех пор, пока убыль массы образца не станет
         постоянной. В зависимости от типа выбранного травителя, предыстории
         обработки образца и температуры травителя - временной интервал
         обработки пластины в травителе может быть увеличен до нескольких
         минут (подбирается экспериментально). По результатам опыта строится
         график зависимости количества удаленного материала образца от времени,
         то есть кинетическая кривая травления образца (рис.2).




                                       24