Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 25 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

25
1.7. По графику находится
точка перехода кривой на
горизонтальный участок и
далее рассчитывается
глубина нарушенного слоя
по формуле, которая
учитывает геометричес-
кую поверхность плас-
тины: ,10
4
)(
мкм
S
P
обр
⋅
∆
=
ρ
δ
где ΔP
(обр)
– общее количество
удаленного материала до
точки перегиба, г;
S – геометрическая
поверхность образца, см
2
;
ρ – плотность материала образца, г/см
3
(Si – 5,326; Ge– 2,322).
2. Выявление кристаллографической ориентации пластины и количественное
определение микродефектов структуры.
При выращивании монокристаллов полупроводникового материала всегда
стараются задать определенное кристаллографическое направление его роста, знание
которого необходимо для более грамотного и целесообразного использования этого
материала в технологии изготовления приборов. Известны три метода определения
кристаллографической ориентации слитков и пластин – рентгенографический,
световых фигур и фигур травления. Технически и технологически более прост
последний, в связи с этом именно он реализуется в лаборатории.
Идея метода состоит в том, что при травлении полированной поверхности
полупроводника материал растворяется быстрее в тех местах, где имеются дефекты
структуры, чаще всего дислокации. В результате на этой поверхности появляются
так называемые фигуры (или ямки) травления, форма которых определяется
кристаллографической ориентацией пластины Условное обозначение
кристаллографических плоскостей и направлений в кристалле с кубической
решеткой смотри на рисунке 3.
Рис.3. Условное обозначение кристаллографических плоскостей и направлений в
кристалле
Кристаллические тела анизотропны, то есть их свойства зависят от
направлений воздействия и измерения. В этом случае межатомные расстояния
определяют характер и значение энергетического взаимодействия атомов, прочность
их сцепления, а следовательно, способность противостоять (или способствовать)
Рис.2. Кинетическая кривая травления
∆P
i
∆P(обр)
τ, с
    ∆Pi                                               1.7. По графику находится
                                                           точка перехода кривой на
                                                           горизонтальный участок и
                                                           далее      рассчитывается
                                                           глубина нарушенного слоя
              ∆P(обр)                                      по    формуле,    которая
                                                           учитывает    геометричес-
                                                           кую поверхность плас-
                                                                       ∆P( обр )
                                                           тины: δ =               ⋅ 10 4 мкм,
                                                                         Sρ
                                                      где ΔP(обр) – общее количество
                                                τ, с  удаленного материала до
              Рис.2. Кинетическая кривая травления    точки перегиба, г;
                                                      S       –       геометрическая
                                                      поверхность образца, см2;
                                          3
ρ – плотность материала образца, г/см (Si – 5,326; Ge– 2,322).

2. Выявление кристаллографической ориентации пластины и количественное
   определение микродефектов структуры.
      При выращивании монокристаллов полупроводникового материала всегда
стараются задать определенное кристаллографическое направление его роста, знание
которого необходимо для более грамотного и целесообразного использования этого
материала в технологии изготовления приборов. Известны три метода определения
кристаллографической ориентации слитков и пластин – рентгенографический,
световых фигур и фигур травления. Технически и технологически более прост
последний, в связи с этом именно он реализуется в лаборатории.
      Идея метода состоит в том, что при травлении полированной поверхности
полупроводника материал растворяется быстрее в тех местах, где имеются дефекты
структуры, чаще всего дислокации. В результате на этой поверхности появляются
так называемые фигуры (или ямки) травления, форма которых определяется
кристаллографической       ориентацией     пластины      Условное   обозначение
кристаллографических плоскостей и направлений в кристалле с кубической
решеткой смотри на рисунке 3.




          Рис.3. Условное обозначение кристаллографических плоскостей и направлений в
                                           кристалле
      Кристаллические тела анизотропны, то есть их свойства зависят от
направлений воздействия и измерения. В этом случае межатомные расстояния
определяют характер и значение энергетического взаимодействия атомов, прочность
их сцепления, а следовательно, способность противостоять (или способствовать)

                                           25

Страницы