Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 38 стр.

Рис.6. Схемы ионно-термических источников распыления:
а – с резистивным испарителем, б – с электронно-лучевым испарителем, в - с ВЧ
ионизацией, г – с ВЧ распылением и ионизацией.
1 – верхний фланец камеры; 2 – подложка; 3 – резистивный испаритель; 4 – нижний
фланец камеры; 5 – электронный пучок; 6 – тигель;
7 – электронно-лучевая пушка; 8 – индуктор;

       Описание лабораторного макета
     1. Напыление тонких металлических пленок методом вакуумного испарения
алюминия или меди осуществляется на установке ПОРА-1М, вакуумная схема
которой показана на рисунке 7. Основной частью установки является стеклянный
вакуумный колпак 1, устанавливаемый на металлической подставке с резиновой
прокладкой. Рабочее пространство под колпаком разделено на две части,
соответственно на камеры для напыления алюминия и меди.
ВНИМАНИЕ! Для обеспечения чистоты получаемых пленок не допускается менять
местами испарители для алюминия и меди.
       Навеска металла в виде отрезка проволоки помещается в соответствующий
испаритель 2 или 2’ под колпаком. Подложки помешаются на подложкодержатели 3
и 3’ в непосредственной близости от испарителей – 2 и 2’. Вакуумные краны,
диффузионный и форвакуумный насосы, а также вакуумные магистрали
смонтированы под защитным кожухом.
ВНИМАНИЕ! Разбирать защитный кожух с целью получения доступа к вакуумным
магистралях категорически запрещается.
       Тумблера управления насосами и вентили вакуумных кранов выведены на
переднюю панель защитного кожуха. Испарители управляются от отдельного блока
в составе установки ПОРА-1М.

                                      38