Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 49 стр.

9. Охарактеризуйте метод катодного распыления с точки зрения динамики
    процесса (стадии процесса, влияние условий, наиболее благоприятный режим
    проведения процесса).
10. Охарактеризуйте аппаратное оформление установки катодного распыления
    (наиболее важные блоки установки, их назначение).
11. Под действие чего происходит распыление катода – мишени. Механизм
    ионизации рабочего газа. Критерии выбора рабочего газа.
12. Охарактеризуйте метод ионно-плазменного распыления для целей получения
    тонких металлических пленок (возможности метода, область применения,
    преимущества и недостатки).
13. Охарактеризуйте метод ионно-плазменного распыления с точки зрения
    динамики процесса (стадии процесса, влияние условий, наиболее
    благоприятный режим проведения процесса).
14. Охарактеризуйте аппаратное оформление установки ионно-плазменного
    распыления (наиболее важные блоки установки, их назначение).
15. Охарактеризуйте метод магнетронного распыления для целей получения
    тонких металлических пленок (возможности метода, область применения,
    преимущества и недостатки).
16. Охарактеризуйте метод магнетронного распыления с точки зрения динамики
    процесса (стадии процесса, влияние условий, наиболее благоприятный режим
    проведения процесса).
17. Охарактеризуйте аппаратное оформление установки магнетронного
    распыления (наиболее важные блоки установки, их назначение).




                                   49